STM32F103C8T6复位电路的设计

STM32F103C8T6是一款ARM Cortex-M3内核的微控制器，其复位电路的设计是非常重要的，下面简单介绍一下复位电路的设计步骤：

1. 外部复位电路设计

STM32F103C8T6芯片需要外部复位电路，该电路一般由一个复位电路芯片和几个电容、电阻等元器件组成。常见的复位电路芯片有MAX809和MIC803等，这里以MAX809为例进行介绍。

MAX809芯片是一款具有复位功能的监视器芯片，它的复位电平是低电平，通常将其复位引脚连接到STM32F103C8T6的复位引脚上，同时还需要连接一个电容和一个电阻，以确保复位电路的可靠性。

具体的电路连接方式如下所示：


其中，C1是一个电容，R1是一个电阻，RST是STM32F103C8T6的复位引脚，VCC是芯片的电源引脚，OUT是MAX809芯片的输出引脚，通常将其连接到STM32F103C8T6的NRST引脚上。

2. 内部复位电路设计

STM32F103C8T6芯片还具有内部复位电路，可以通过设置相关的寄存器来使其起作用。具体步骤如下：

（1）设置复位向量表偏移地址

复位向量表是ARM Cortex-M3处理器中用于处理异常、中断和复位等事件的重要数据结构，STM32F103C8T6芯片的复位向量表存放在Flash的起始地址处，需要通过向量表偏移寄存器来设置偏移地址。

在复位时，芯片会从Flash的起始地址处读取复位向量表，然后跳转到指定的复位向量处执行。为了避免在复位时执行无效的代码，需要将复位向量表的偏移地址设置为Flash的起始地址，即0x08000000。

具体的设置方法如下：

SCB->VTOR = 0x08000000;

（2）设置复位源

STM32F103C8T6芯片有多种复位源，包括外部复位、低功耗复位、软件复位等，需要根据具体的应用场景设置相应的复位源。

例如，如果需要使用外部复位电路，则需要将复位源设置为外部复位，具体的设置方法如下：

RCC->CSR |= RCC_CSR_PINRSTF; //清除复位标志
RCC->CSR |= RCC_CSR_PORRSTF; //清除上电复位标志
RCC->CSR |= RCC_CSR_SFTRSTF; //清除软件复位标志
RCC->CSR |= RCC_CSR_IWDGRSTF; //清除看门狗复位标志
RCC->CSR |= RCC_CSR_LPWRRSTF; //清除低功耗复位标志
RCC->CSR |= RCC_CSR_WWDGRSTF; //清除窗口看门狗复位标志
RCC->CSR |= RCC_CSR_FWRSTF; //清除自动重启复位标志
RCC->CSR |= RCC_CSR_RMVF; //清除复位标志位

（3）执行复位操作

最后，需要执行复位操作，使芯片重新启动。具体的复位操作方法根据不同的复位源而不同，例如，如果使用外部复位电路，则需要将复位标志位置1，然后执行一个死循环，等待芯片重新启动，具体的代码如下：

RCC->CSR |= RCC_CSR_PINRSTF; //设置外部复位标志
while(1); //等待芯片重新启动

以上就是STM32F103C8T6复位电路的设计步骤，希望对您有所帮助。