LDMOS制造实验中为什么要在顶部淀积铝

在LDMOS制造实验中，顶部淀积铝的主要作用是形成源极和栅极的电极。具体来说，顶部淀积铝可以在N型漂移区上形成源极和栅极的金属电极，从而实现对晶体管的控制。此外，顶部淀积铝还能够起到保护晶体管的作用，避免晶体管因外界环境的影响而受损。同时，顶部淀积铝还能够提高晶体管的导电性能，从而提高晶体管的工作效率和稳定性。总之，顶部淀积铝在LDMOS制造实验中是非常重要的一步，能够对晶体管的性能和稳定性产生重要影响。