U 2.在霍耳效应测量磁场的实验中,有关系式B=Uh/KhIs ,说明公式中各量的物理意义,并KpIs 根据该式说明利用霍耳效应测量磁场的原理。
时间: 2024-04-21 19:25:06 浏览: 95
工业电子中的基于霍耳效应的电机控制芯片设计
在霍耳效应测量磁场的实验中,公式B=Uh/KhIs中,各量的物理意义如下:
B:磁场强度,单位是特斯拉(T);
Uh:载流导体在磁场中感应出的霍尔电压,单位是伏特(V);
Kh:霍尔常数,是材料本身的特性参数,单位是特斯拉每安培(T/A);
Is:载流导体的电流强度,单位是安培(A)。
根据公式B=Uh/KhIs,我们可以知道,磁场强度B与载流导体的电流强度Is成正比,与霍尔电压Uh成反比。因此,如果我们测量出载流导体的电流强度Is和感应出的霍尔电压Uh,就可以通过公式计算出磁场强度B。
具体测量原理如下:我们将待测磁场垂直于一根载流导体(通电),磁场会对载流导体内的电子运动方向产生影响,从而感应出一定的电势差,即霍尔电压Uh。通过测量电流强度Is和霍尔电压Uh,再带入公式B=Uh/KhIs中,就可以计算出磁场强度B。
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