简述MOS晶体管的分类、工作原理，并绘制其

符号和特性曲线。

MOS晶体管是一种晶体管，全称为金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），其分类包括n型MOS晶体管和p型MOS晶体管。

n型MOS晶体管由一块n型半导体材料（即n型衬底）和上面覆盖着一层厚度约为几微米的绝缘层（即氧化物层）构成，其符号如下图所示：


p型MOS晶体管由一块p型半导体材料（即p型衬底）和上面覆盖着一层厚度约为几微米的绝缘层（即氧化物层）构成，其符号如下图所示：


MOS晶体管的工作原理如下：在MOS晶体管中，由于绝缘层的存在，形成了一个与半导体材料相分离的金属电极（即栅极），外加电压可以控制栅极与半导体材料之间的电场强度，从而控制半导体材料中的载流子浓度。当栅极电压为负值时，半导体材料中的n型或p型掺杂材料中的自由电子或空穴被驱逐到衬底中，形成一个沟道，沟道中的电子或空穴可以从源极流经沟道到达漏极，从而实现电流的控制。因此，MOS晶体管可以被用作放大器、开关和数字逻辑门等。

下图为MOS晶体管的特性曲线，其中ID为漏极电流，VG为栅极电压，VDS为漏极-源极电压：