stm32103zet6 flash读保护

STM32F103ZET6是一款基于ARM Cortex-M3架构的单片机，它有64KB到512KB不等的Flash存储器，可以用于存储程序以及数据。Flash读保护是一种单片机保护机制，它可以通过设置来保护存储在Flash中的程序和数据不被非法读取或篡改，同时保护Flash控制器不被攻击和破坏。对于STM32F103ZET6单片机，Flash读保护主要采用两种形式：级联式和全芯片式。

级联式Flash读保护是将Flash存储器分为两个区域，一个是主区，用于存储程序和数据，另一个是用户区，用于存储用户数据。用户区可以被设置为只读或读写保护，防止非授权读取或篡改数据。此外，还可以通过设置Flash的读保护级别来限制用户区的读取权限，从而实现程序和数据的保护。

全芯片式Flash读保护是将整个Flash存储器设置为只读或只写状态，可以在程序执行期间防止掉电或设备复位时Flash被非法读取或篡改的情况发生。通过该模式，可以确保存储在Flash中的程序和数据的完整性和安全性，并保护Flash控制器的不受到恶意攻击和破坏。

综上所述，STM32F103ZET6单片机的Flash读保护机制采用级联式和全芯片式两种形式，可以有效地保护存储在Flash中的程序和数据的安全性和完整性，同时保护Flash控制器的稳定性和安全性。

相关问题

STM32F103ZET6和stm32f103c8t6

STM32F103ZET6和STM32F103C8T6是STMicroelectronics（意法半导体）公司生产的两款基于ARM Cortex-M3内核的微控制器。它们在架构和功能上有一些相似之处，但也存在一些差异。

首先，这两款微控制器的主要差异在于封装和引脚数量。STM32F103ZET6采用144引脚的LQFP封装，而STM32F103C8T6采用48引脚的LQFP封装。因此，STM32F103ZET6具有更多的GPIO引脚和其他外设引脚，适用于更复杂的应用。

其次，这两款微控制器的存储器容量也不同。STM32F103ZET6具有512KB的Flash存储器和64KB的SRAM，而STM32F103C8T6则只有64KB的Flash存储器和20KB的SRAM。因此，对于存储器要求较高的应用，如大型程序或数据处理，STM32F103ZET6可能更适合。

此外，这两款微控制器的工作电压范围和工作温度范围也可能略有不同，具体取决于制造商的规格。

综上所述，选择适合自己应用需求的微控制器需要考虑引脚数量、存储容量以及其他外设的需求。

stm32f103zet6 flash读写例程

你可以参考以下的代码：

#include "stm32f10x.h"
#define SectorAddr 0x08010000 // 要擦除的扇区初始地址，这里是第16个扇区地址
void Flash_WriteWord (u32 addr, u32 data) // 写入一个字节
{
FLASH->CR |= FLASH_CR_PG; // 开启FLASH写保护
*(vu16 *)addr = data; // 进行写操作
while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY); // 等待写操作完成
FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PG; // 关闭FLASH写保护
}
void Flash_ErasePage (u32 addr) // 擦除一个扇区
{
FLASH->CR |= FLASH_CR_PER;
FLASH->AR = addr; // 设置擦除地址
FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT; // 开启擦除操作
while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY); // 等待擦除操作完成
FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PER;
}
void Flash_WriteBuf (u32 addr, u8 *buf, u32 len) // 写入任意长度数据
{
u32 i;
for (i=0; i<len; i+=2) {
Flash_WriteWord((u32)(addr+i), *(u16 *)(buf+i));
}
}
void Flash_ReadBuf (u32 addr, u8 *buf, u32 len) // 读取任意长度数据
{
u32 i;
for (i=0; i<len; i+=2) {
*(u16 *)(buf+i) = *(vu16 *)(addr+i);
}
}
int main (void)
{
u32 i;
u8 data[] = {0x12, 0x34, 0x56, 0x78, 0x9A, 0xBC, 0xDE, 0xF0};
u8 buf[sizeof(data)];
// 擦除第16个扇区
Flash_ErasePage (SectorAddr);
// 写入数据
Flash_WriteBuf (SectorAddr, data, sizeof(data));
// 读取数据
Flash_ReadBuf (SectorAddr, buf, sizeof(data));
// 检查数据是否正确
for (i=0; i<sizeof(data); i++) {
if (buf[i] != data[i]) {
// 出现错误
}
}
// 数据正确
}

注意：以上代码仅供参考，实际使用中需要根据具体情况进行调整和修改。