如何在STM32F103ZET6单片机上通过FSMC接口外扩SRAM，并进行数据读写校验？请结合源码进行分析。

为了在外扩SRAM上进行数据读写校验，我们首先需要了解FSMC（Flexible Static Memory Controller）的工作原理及其在STM32F103ZET6单片机上的应用。FSMC是一种灵活的静态存储控制器，能够连接多种类型的外部存储器，比如SRAM、PSRAM、NOR Flash等。在本例中，我们将焦点放在如何使用FSMC接口外扩SRAM，并保证数据的正确读写。

参考资源链接：[STM32F103ZET6单片机扩展SRAM实验与源码解析](https://wenku.csdn.net/doc/56uumg6fuq?spm=1055.2569.3001.10343)

首先，需要在硬件上正确连接SRAM到STM32F103ZET6的FSMC接口。这通常涉及到数据线、地址线、控制线等的连接，并确保所有连接都是电气上兼容的。一旦硬件连接完毕，接下来就是在软件层面上进行配置。

在Keil开发环境中，我们需要编写初始化代码来配置FSMC模块，使其适配所使用的SRAM模块。初始化代码通常包括设置FSMC的寄存器，比如数据总线宽度、访问时序、地址线映射以及控制信号的配置等。这些设置必须与外扩SRAM模块的技术规范相匹配，以确保正确和高效的通信。

具体到数据读写校验，我们需要编写读写函数来实现对SRAM的操作。例如，我们可以定义一个函数“ExSRAM_Cap_Test(u16 x,u16 y)”来测试外扩SRAM的容量。在这个函数中，我们首先定义了写入和读取的缓冲区变量“writeData”和“readData”，然后通过FSMC接口将“writeData”写入到特定地址，并从同一地址读取数据到“readData”。通过比较这两个变量的内容，我们可以验证数据是否被正确地存储和检索。这个过程可以循环执行，从起始地址开始，逐步增加地址，直到达到SRAM的界限。

另外，为了确保实验的可靠性和准确性，我们还可以在读写操作后进行校验。比如，通过计算数据的校验和或CRC（循环冗余校验）来验证数据的完整性。这样，即便在数据传输过程中发生错误，我们也能及时发现并采取相应措施。

最后，实验结果可以通过LCD显示屏或串口等方式展示给用户。这样不仅完成了数据读写校验，也提供了一种直观的方式来观察内存测试的结果。

在进行上述实验时，推荐参考《STM32F103ZET6单片机扩展SRAM实验与源码解析》这份资源，它提供了详细的实验例程源码和相关的配置信息，是深入理解和实践外扩SRAM技术的宝贵资料。通过这些例程的学习，你可以更加熟悉FSMC的工作机制，提高你在外扩存储器方面的应用能力，为嵌入式系统的开发打下坚实的基础。

参考资源链接：[STM32F103ZET6单片机扩展SRAM实验与源码解析](https://wenku.csdn.net/doc/56uumg6fuq?spm=1055.2569.3001.10343)