mos管线性区电流公式

时间: 2024-08-25 22:00:14 浏览: 165
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的线性区是指当栅极电压Vg处于开启状态,即栅源电压Vgs足够大以至于漏电流I_D接近于零的时候。在这种条件下,MOS管的行为可以简化为一个理想的电压控制电阻,其电流公式通常表述为: \[ I_D = \frac{W}{L} \cdot \mu_C \cdot \frac{\partial V_{DS}}{\partial V_G}\] 其中, - \( I_D \) 是漏极电流, - \( W \) 是沟道宽度, - \( L \) 是沟道长度, - \( \mu_C \) 是硅材料的迁移率,它取决于温度和其他物理特性, - \( V_{DS} \) 是漏极到源极之间的电压差( Drain-Source Voltage),它是控制变量, - \( V_G \) 是栅极对地电压(Gate-to-Source Voltage),是控制信号。 这个公式表示了通过改变栅极电压可以精确控制漏极电流,这是MOS管作为线性放大器的基础。线性区也称为恒流区,因为在这里,输入电压变化对应的是输出电流的线性增减,而并非像饱和区那样受阈值电压影响。
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