中颖单片机 eeprom多字节读写和擦除

中颖单片机的 EEPROM 是可以进行多字节读写和擦除的，具体操作流程如下：

1. 多字节写入 EEPROM

void EEPROM_WriteMultiByte(unsigned int addr, unsigned char *data, unsigned int len)
{
    unsigned int i;
    for(i=0; i<len; i++)
    {
        EEPROM_WriteByte(addr+i, *(data+i));
    }
}

其中，`addr` 表示 EEPROM 的起始地址，`data` 表示要写入的数据缓冲区指针，`len` 表示要写入的数据长度。

2. 多字节读取 EEPROM

void EEPROM_ReadMultiByte(unsigned int addr, unsigned char *data, unsigned int len)
{
    unsigned int i;
    for(i=0; i<len; i++)
    {
        *(data+i) = EEPROM_ReadByte(addr+i);
    }
}

其中，`addr` 表示 EEPROM 的起始地址，`data` 表示要读取的数据缓冲区指针，`len` 表示要读取的数据长度。

3. 多字节擦除 EEPROM

void EEPROM_EraseMultiByte(unsigned int addr, unsigned int len)
{
    unsigned int i;
    for(i=0; i<len; i++)
    {
        EEPROM_EraseByte(addr+i);
    }
}

其中，`addr` 表示 EEPROM 的起始地址，`len` 表示要擦除的数据长度。

需要注意的是，中颖单片机的 EEPROM 存储单元数量有限，因此在进行多次写入操作时，需要先进行擦除操作，否则可能会导致写入失败。