MOSFET全桥驱动

MOSFET全桥驱动通常用于高功率应用中，如电机或步进电机的控制[^1]。全桥结构由四个MOSFET组成，每个MOSFET对应电源的正负极以及负载的两个方向。以下是基本的全桥驱动原理：

1. **配置**:
- 两个N沟道MOSFET (M1和M3) 对应电源的正极，两个P沟道MOSFET (M2和M4) 对应电源的负极。

2. **驱动信号**:
- 当Vgs(+)对M1和M3施加正向电压，而Vgs(-)对M2和M4施加负向电压，M1和M3导通，形成电流从电源到负载。
- 反之，当Vgs(+)对M2和M4施加正向电压，而Vgs(-)对M1和M3施加负向电压，M2和M4导通，形成电流从负载返回电源。

3. **控制**:
- 使用脉宽调制(PWM)信号控制每个MOSFET的开启时间，从而调节输出电流和电机速度。

4. **保护**:
- 通常会集成过流、过热和短路保护，以防止MOSFET损坏。

为了实现全桥驱动，你可能需要使用专用的H桥驱动集成电路（如L298N或TB6612FNG）来简化信号处理和保护。