stm32f411芯片读写内部SRAM超详细代码,C语言代码
时间: 2024-11-10 16:26:06 浏览: 34
STM32F411系列微控制器的内存管理比较复杂,因为它支持多种存储器区域,包括片内RAM。以下是一个基本的C语言示例,演示了如何在STM32F411上通过HAL库读取和写入内部SRAM:
```c
#include "stm32f4xx_hal.h"
#include "stdbool.h"
// 片内SRAM区定义
#define SRAM_BASE ((uint32_t)0x20000000) // 假设SRAM起始地址
#define SRAM_SIZE (1024 * sizeof(uint32_t)) // 例如,1KB大小
void readFromInternalSRAM(void) {
GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStruct;
HAL_StatusTypeDef status;
// 首先,确保用于访问SRAM的GPIO已经配置好
GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_8; // 示例:选择GPIOB上的某个引脚
GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;
GPIO_InitStruct.Pull = GPIO_NOPULL;
GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_LOW;
GPIO_InitStruct.Alternate = GPIO_AF1_FMC; // FMC总线用于SRAM通信
HAL_GPIO_Init(GPIOB, &GPIO_InitStruct);
// 初始化FMC控制器
__HAL_RCC_FMC_CLK_ENABLE();
// 设置FMC Bank1,通常STM32F411有多个SRAM Banks
FMC_BankInitTypeDef bankInit;
bankInit.BankSelection = FMC_BANK1;
bankInit.TypeSel = FMC.TypeString4; // 如果是SRAM Type 4,其他类型自行修改
bankInit.MemoryType = FMC_MEMORY_TYPE_SRAM;
bankInit.DataAddressMux = FMC_DATA_ADDRESS_MUX_DISABLE;
bankInit.RowAddrDeselectMode = FMC_ROWADDR_DESELECT_DISABLE;
bankInit.ColAddrDeselectMode = FMC_COLADDR_DESELECT_DISABLE;
bankInit.WaitSignalPolarity = FMC_WAIT信号极性; // 根据手册设置
bankInit.WaitSignalActiveState = FMC_WAIT信号激活状态;
bankInit.WriteOperation = true;
bankInit.ReadOperation = true;
bankInit.DdrSetupTime = 0;
bankInit.CasLatency = 0;
bankInit.RtsDelay = 0;
bankInit.PrefetchMode = FMC_PREFETCH_DISABLE;
bankInit.BurstLength = FMC_BURST_LENGTH_1;
HAL_FMC_BankConfig(&bankInit); // 初始化Bank1
// 获取FMC控制寄存器地址
uint32_t sramBaseAddr = SRAM_BASE + (0 * SRAM_SIZE / 4); // 假定读取地址为第一个字块
uint32_t *sramData = (uint32_t*)sramBaseAddr;
// 读取数据
status = HAL_FMC_Read32(sramData);
if (status == HAL_OK) {
printf("Read value from SRAM: %08X\n", *sramData);
} else {
while(1); // 处理错误
}
}
void writeToInternalSRAM(uint32_t data) {
// ... 该部分代码类似读取部分,只是将写操作替换为HAL_FMC_Write32()
}
int main(void) {
readFromInternalSRAM();
// ... 其他程序代码
return 0;
}
```
记得在实际项目中根据你的硬件配置、设备手册及具体需求调整上述代码。
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