假设一个物理存储器有4个页框，一个程序运行的页面走向是：1-2-3-1-4-5-1-2-1-4-5-3-4-5。假定所有页框最初都是空的，MIN(滑动窗口τ＝3)计算访问过程中所发生的缺页中断次数和缺页中断率。

根据最小程度算法（MIN）计算缺页中断次数和缺页中断率，假设一个物理存储器有4个页框：

1. 第1个页面1：发生缺页中断，将页面1调入第1个页框，缺页中断次数为1；
2. 第2个页面2：发生缺页中断，将页面2调入第2个页框，缺页中断次数为2；
3. 第3个页面3：发生缺页中断，将页面3调入第3个页框，缺页中断次数为3；
4. 第4个页面1：第1个页框中已经存在页面1，不需要调入，缺页中断次数不变，仍为3；
5. 第5个页面4：发生缺页中断，将页面4调入第4个页框，缺页中断次数为4；
6. 第6个页面5：发生缺页中断，将页面5调入第1个页框（最老的页面1将被替换），缺页中断次数为5；
7. 第7个页面1：第1个页框中已经存在页面1，不需要调入，缺页中断次数不变，仍为5；
8. 第8个页面2：第2个页框中已经存在页面2，不需要调入，缺页中断次数不变，仍为5；
9. 第9个页面1：第1个页框中已经存在页面1，不需要调入，缺页中断次数不变，仍为5；
10. 第10个页面4：第4个页框中已经存在页面4，不需要调入，缺页中断次数不变，仍为5；
11. 第11个页面5：第1个页框中已经存在页面5，不需要调入，缺页中断次数不变，仍为5；
12. 第12个页面3：页面3替换页面2，缺页中断次数为6；
13. 第13个页面4：第4个页框中已经存在页面4，不需要调入，缺页中断次数不变，仍为6；
14. 第14个页面5：第1个页框中已经存在页面5，不需要调入，缺页中断次数不变，仍为6。

因此，访问过程中所发生的缺页中断次数为6，缺页中断率为6/14=0.4286。

相关问题

用4片SRAM或ROM-NOR FLASH为S3C2440设计主存，如何编程读写1个字、1个半字或1个字节？

对于S3C2440主存的编程，通常需要了解以下几个方面的知识：

1. 存储器映射：S3C2440主存的物理地址范围为0x00000000 - 0x3FFFFFFF，但实际上这个地址范围被映射到了不同的存储器芯片上。因此，在编程时需要了解存储器映射的情况，才能正确地访问到所需的存储器。

2. 存储器接口：S3C2440主存支持多种存储器接口，包括SRAM、ROM、NOR FLASH等。在编程时需要了解所使用的存储器接口的特点和限制，才能正确地进行读写操作。

3. 存储器访问方式：S3C2440主存支持字、半字、字节等不同的访问方式。在编程时需要选择合适的访问方式，才能正确地读写数据。

基于以上的几个方面，下面介绍如何编程读写1个字、1个半字或1个字节。

1. 读写1个字（32位）：

假设所使用的存储器是SRAM，并且该存储器映射到地址范围0x30000000 - 0x33FFFFFF。那么，可以按照以下步骤进行读写操作：

读操作：

unsigned int *p = (unsigned int *)0x30000000;  // 定义指针指向起始地址
unsigned int data = *p;                        // 读取1个字

写操作：

unsigned int *p = (unsigned int *)0x30000000;  // 定义指针指向起始地址
unsigned int data = 0x12345678;                // 定义要写入的数据
*p = data;                                     // 写入1个字

2. 读写1个半字（16位）：

假设所使用的存储器是NOR FLASH，并且该存储器映射到地址范围0x08000000 - 0x0BFFFFFF。那么，可以按照以下步骤进行读写操作：

读操作：

unsigned short *p = (unsigned short *)0x08000000;  // 定义指针指向起始地址
unsigned short data = *p;                          // 读取1个半字

写操作：

unsigned short *p = (unsigned short *)0x08000000;  // 定义指针指向起始地址
unsigned short data = 0x1234;                      // 定义要写入的数据
*p = data;                                         // 写入1个半字

3. 读写1个字节（8位）：

假设所使用的存储器是ROM，并且该存储器映射到地址范围0x00000000 - 0x003FFFFF。那么，可以按照以下步骤进行读写操作：

读操作：

unsigned char *p = (unsigned char *)0x00000000;  // 定义指针指向起始地址
unsigned char data = *p;                         // 读取1个字节

写操作：

unsigned char *p = (unsigned char *)0x00000000;  // 定义指针指向起始地址
unsigned char data = 0x12;                       // 定义要写入的数据
*p = data;                                       // 写入1个字节

需要注意的是，在实际的应用中，可能需要对存储器进行初始化、设置访问模式等操作，才能正确地进行读写操作。以上仅是基本的读写操作示例，具体实现还需要根据具体的应用场景进行调整。

假设一个物理存储器有4个页帧，对于下面的应用串：P1、P2、P3、P1、P4、P5、P1、P2、P1、P4、P5、P3、P4、P5，试用下列算法求缺页异常次数（假设所有的页帧最初都是空的，并假设所有对P2的访问都是写请求）。（1）SCR（二次机会替换算法）；（2）改进的Clock；（3）WS（工作集置换算法，窗口尺寸∆=2）。

好的，我已经记录下来了你的问题。关于你的问题，我将逐一回答。

（1）SCR算法：

| 应用串 | 页帧 | 缺页异常次数 |
|---------|------|--------------|
| P1 | 0 | 1 |
| P2 | 0,1 | 2 |
| P3 | 0,1,2| 3 |
| P1 | 0,1,2| 3 |
| P4 | 0,1,3| 4 |
| P5 | 0,1,4| 5 |
| P1 | 0,1,4| 5 |
| P2 | 0,1,4| 5 |
| P1 | 0,1,4| 5 |
| P4 | 2,1,4| 6 |
| P5 | 3,1,4| 7 |
| P3 | 2,1,0| 8 |
| P4 | 2,1,5| 9 |
| P5 | 3,1,0| 10 |

因此，SCR算法的缺页异常次数为10。

（2）改进的Clock算法：

| 应用串 | 页帧 | 缺页异常次数 |
|---------|------|--------------|
| P1 | 0 | 1 |
| P2 | 0,1 | 2 |
| P3 | 0,1,2| 3 |
| P1 | 0,1,2| 3 |
| P4 | 0,1,3| 4 |
| P5 | 0,1,4| 5 |
| P1 | 0,1,4| 5 |
| P2 | 0,1,4| 5 |
| P1 | 0,1,4| 5 |
| P4 | 0,2,4| 6 |
| P5 | 3,2,4| 7 |
| P3 | 1,2,0| 8 |
| P4 | 1,3,0| 9 |
| P5 | 4,3,0| 10 |

因此，改进的Clock算法的缺页异常次数为10。

（3）WS算法：

| 应用串 | 页帧 | 缺页异常次数 |
|---------|------|--------------|
| P1 | 0 | 1 |
| P2 | 0,1 | 2 |
| P3 | 0,1,2| 3 |
| P1 | 0,1,2| 3 |
| P4 | 0,1,3| 4 |
| P5 | 0,4,3| 5 |
| P1 | 1,4,3| 6 |
| P2 | 1,0,3| 7 |
| P1 | 4,0,3| 8 |
| P4 | 1,0,4| 9 |
| P5 | 0,2,4| 10 |
| P3 | 2,4,3| 11 |
| P4 | 0,1,4| 12 |
| P5 | 2,3,4| 13 |

因此，WS算法的缺页异常次数为13。

以上是答案，希望能够帮到你。