单mosfet管电压放大电路实验输入电阻理论值测量值

单mosfet管电压放大电路实验输入电阻理论值可以通过以下公式进行计算：
Rin = (1 + gm * Rd) * (Rg || Rs)
其中，Rin表示输入电阻，gm表示mosfet管的跨导，Rd表示漏极电阻，Rg表示输入电阻，而Rs表示源极电阻。理论值的计算需要知道mosfet管的参数和电路的设计。

在实验中，可以通过测量输入电阻的方法来得到实际值。首先，可以将输入端接地，然后在输入端加上一个测试电流，测量输入端的电压。根据欧姆定律，通过测量电压和电流的比值可以得到实验测量值。

值得注意的是，在实际的测量中可能会存在一些误差，例如由于测量设备的精度、线路的干扰等因素。因此在测量时需要多次进行测量，并取多次测量的平均值来提高测量的准确性。

除了通过实验测量输入电阻的数值外，还可以进行仿真实验，通过电子设计自动化EDA软件来模拟电路，得到输入电阻的数值，以与实验结果进行对比，从而验证实验测量的准确性。

综上所述，单mosfet管电压放大电路实验输入电阻的理论值可以通过公式计算得到，而实验测量值则需要通过实际测量或仿真实验来获取，并需考虑到可能存在的误差。

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