stm32f103c8t6晶振电路设计

### STM32F103C8T6 晶振电路设计方案

对于STM32F103C8T6微控制器而言，其内部集成了多种时钟源选项，其中包括外部高速晶振(HSE)和外部低速晶振(LSE)[^1]。为了实现稳定可靠的系统运行，合理设计外部晶振电路至关重要。

#### 外部高速晶振 (HSE)

通常情况下，当需要高精度定时器或者更精确的时间基准时会选择连接一个外部高速晶振到STM32F103C8T6上。该器件支持最高频率可达25 MHz 的石英晶体作为外接HSE输入信号源。具体参数如下：

- **推荐工作频率**: 4~25 MHz
- **负载电容(CL)**: 建议选取两个相同数值的瓷片电容器并联于XIN/XOUT之间,一般取值范围为12 pF ~27 pF.
- **串联电阻(RS)**: 如果选用的是有源晶振，则不需要额外添加；如果是无源晶振则可以考虑加入一个小阻值（如10Ω～1kΩ）来改善启动特性.

    VDD
     |
     |----[CL1=20pF]---|--------- Crystal Oscillator (e.g., 8MHz or 25MHz)
     |                 |
     |----[CL2=20pF]--- XOUT(Pin20)
     |
    GND

此图展示了如何将一个典型的8 MHz 或者 25 MHz 石英谐振器连接至MCU上的OSC_IN(XIN)/ OSC_OUT(XOUT)引脚，并通过适当选择匹配元件确保最佳性能表现.

#### 外部低速晶振 (LSE)

另外，在某些应用场景下可能还需要配置RTC模块使用的独立电源域内的专用实时时钟晶振——即所谓的 LSE 。这种类型的晶振主要用于提供给 RTC 功能所需的较低频度但长时间稳定的计数脉冲序列。例如文中提到的支持标准32.768 kHz的手表级晶振就非常适合于此用途[^3]。

同样的道理适用于这里所描述的设计原则也适用:

- **典型频率** : 32.768 KHz
- **负载电容(CL)** ：同样建议采用两颗相等容量的小型陶瓷贴片电容(C_L1=C_L2)，比如12.5pf。

   VBAT
    |
    |--[C_L1=12.5PF]-- 32.768KHz Crystal
    |                    |
    |--[C_L2=12.5PF]----- PC15(OSC32_OUT)
    |
   GND

上述图表说明了怎样把一颗常见的32.768千赫兹手表电池配合相应的去耦合组件接入单片机相应管脚形成完整的LSE结构.