若某DRAM芯片内部采用128*128矩阵排列,存储器存取周期为500ns,当存储系统分别采用集中刷新、分散刷新和异步刷新时,存储器的平均访问周期是多少?在2ms刷新间隔内,存储器可正常存取的次数是多少?
时间: 2024-06-10 14:05:01 浏览: 25
根据给出的信息,我们可以推出DRAM芯片的总存储容量为128*128 = 16384个存储单元。利用集中刷新、分散刷新和异步刷新分别计算得到平均访问周期分别为:(16384 / 256) * 500ns = 32us; (16384 / 512) * 500ns = 16us; (16384 / 16384) * 500ns = 0.5ns = 500ps。在2ms刷新间隔内,存储器可正常存取的次数分别为:2ms / 32us = 62500次; 2ms / 16us = 125000次; 2ms / 500ps = 4000000次。
相关问题
用容量为16K ×1的DRAM 芯片构成64K*8的存储器,为什么刷新时按128*128算而不是256*256
对于使用16K×1的DRAM芯片构成64K×8的存储器,在进行刷新时,应该按照16K的行进行刷新,而不是按照存储器的整体大小。因此,刷新时应该按照128×128的大小进行刷新,而不是256×256。这是因为16K×1的DRAM芯片有14根地址线,可以寻址2^14个行,每个行包含16K的存储单元。所以在64K×8的存储器中,共有64K/16K=4个行,每个行包含8个16K×1的DRAM芯片,也就是说每个行包含了8个16K的存储单元。因此,刷新时应该以128×128的大小进行刷新,即每次刷新128个行,每个行包含8个16K的存储单元。
某16k x 4的存储体由16个字长为1的 dram芯片在位方向和字方向同时扩展而成,dram芯片中所有的记忆单元排列成行列相等的存储矩阵。假设dram芯片的存取周期为500ns,刷新间隔为2.048ms,则采用异步刷新方式时应该每隔多久安排一次刷新?
每个DRAM芯片有16k x 1的存储容量,由于存储体由16个DRAM芯片扩展而成,因此总容量为16k x 4。所有的记忆单元排列成行列相等的存储矩阵,即每个DRAM芯片有16k行和1列。
假设DRAM芯片的存取周期为500ns,刷新间隔为2.048ms,则采用异步刷新方式时应该每隔2.048ms/16 = 128us安排一次刷新。
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