若某DRAM芯片内部采用128*128矩阵排列，存储器存取周期为500ns，当存储系统分别采用集中刷新、分散刷新和异步刷新时，存储器的平均访问周期是多少？在2ms刷新间隔内，存储器可正常存取的次数是多少？

根据给出的信息，我们可以推出DRAM芯片的总存储容量为128*128 = 16384个存储单元。利用集中刷新、分散刷新和异步刷新分别计算得到平均访问周期分别为：(16384 / 256) * 500ns = 32us; (16384 / 512) * 500ns = 16us; (16384 / 16384) * 500ns = 0.5ns = 500ps。在2ms刷新间隔内，存储器可正常存取的次数分别为：2ms / 32us = 62500次; 2ms / 16us = 125000次; 2ms / 500ps = 4000000次。