STM8S103单片机的Flash和EEPROM有什么区别？如何在程序中正确使用它们？

STM8S103单片机的Flash和EEPROM在功能和用途上有明显的区别。Flash主要用于存储程序代码，而EEPROM则用于存储需要频繁擦写的数据。STM8S103提供了8KB的Flash程序存储器，可以存放程序代码和常量数据，具有10000次擦写能力，而640字节的EEPROM则用于存储配置信息或其他经常变化的数据，其擦写耐久性可达30万次。

参考资源链接：[STM8S103中文资料详解：8位单片机特性与开发支持](https://wenku.csdn.net/doc/64818e4b543f844488513e68?spm=1055.2569.3001.10343)

在程序中正确使用Flash和EEPROM，需要遵循特定的操作规则来保证数据的完整性和单片机的寿命。首先，对于Flash的写入操作，需要在写入前擦除整个扇区，并且在写入操作完成后，还需要进行相应的编程。STM8S103提供了闪存编程库函数，例如stm8s_flash.h中的STM8S_FLASH_ErasePage和STM8S_FLASH_ProgramHalfWord等，可以用来擦除和编程Flash存储器。

对于EEPROM的使用，应当注意其写入次数的限制。在程序中，可以通过EEPROM库函数如stm8s_eeprom.h中提供的EEPROM_WriteData函数，来对EEPROM进行字节级的读写操作。需要注意的是，EEPROM写入操作不能跨页进行，因此在编程时应当确保写入的数据位于同一个页面内，以避免不必要的页擦除操作，延长EEPROM的使用寿命。

总的来说，在STM8S103单片机开发中，正确使用Flash和EEPROM需要开发者了解其结构特性和编程接口，遵循最佳实践来保护存储器免受过度擦写，确保数据的持久性和设备的可靠性。进一步了解Flash和EEPROM的详细操作和编程方法，可以参考《STM8S103中文资料详解：8位单片机特性与开发支持》这本书，它提供了详细的存储器管理技术和开发案例，有助于开发者深入掌握STM8S103的编程技巧。

参考资源链接：[STM8S103中文资料详解：8位单片机特性与开发支持](https://wenku.csdn.net/doc/64818e4b543f844488513e68?spm=1055.2569.3001.10343)