MSP430F169掉电写FLASH程序

在 MSP430F169 微控制器上，可以通过编程来在掉电状态下写入 Flash 存储器。以下是一个示例程序，演示如何在掉电状态下编程写入 Flash：

#include <msp430.h>

#define FLASH_SEG_A   0x1040  // Flash Segment A 的地址
#define FLASH_SEG_B   0x1000  // Flash Segment B 的地址

void main(void)
{
    WDTCTL = WDTPW | WDTHOLD;   // 停用看门狗定时器

    PMMCTL0_H = PMMPW_H;        // 解锁电源管理模块（PMM）

    FCTL2 = FWKEY | FSSEL_2 | FN1;   // 选择 MCLK 作为 Flash 时钟源，设置 Flash 时钟频率为 1 MHz
    FCTL3 = FWKEY;                    // 解锁 Flash 控制寄存器

    FCTL1 = FWKEY | ERASE;            // 解锁 Flash 擦除操作
    *(unsigned int*)FLASH_SEG_A = 0;  // 擦除 Flash Segment A

    FCTL1 = FWKEY | WRT;              // 解锁 Flash 写入操作
    *(unsigned int*)FLASH_SEG_A = 0x1234;  // 将数据写入 Flash Segment A

    FCTL1 = FWKEY;                    // 锁定 Flash 写入操作

    PMMCTL0_H = 0x00;                 // 锁定电源管理模块（PMM）

    __bis_SR_register(LPM4_bits);     // 进入低功耗模式

    while (1)
    {
        // 主循环中的其他代码
    }
}

在上述示例程序中，通过解锁电源管理模块（PMM）来实现对 Flash 存储器的访问。然后，通过设置 Flash 时钟源和频率来配置 Flash 控制寄存器（FCTL2）。接下来，使用擦除操作将 Flash Segment A 的内容擦除为空。然后，使用写入操作将所需的数据写入 Flash Segment A。最后，锁定 Flash 写入操作和电源管理模块（PMM），并进入低功耗模式。

请注意，具体的 Flash 写入操作和地址可能因 MSP430F169 的具体型号和配置而异。建议您参考相关的 MSP430F169 数据手册或文档以获取更详细的信息和配置指导。同时，需要确保在编程 Flash 之前已经正确配置了系统时钟和电源管理模块。