设计一个理想的n沟道多晶硅栅MOSFET（VT=0.65v，tox=30nm，L=1.25µm，Qss=1.5x1011cm-2），使得在VGS=2.5V，VDS=0.1V时，漏电流ID=50µA。利用Silvaco TCAD工具开展器件设计与仿真：基于上述参数仿真对应nMOSFET的输出特性曲线；根据器件尺寸缩减原则（恒定电场原则），按照每一代器件面积缩小一半的标准，额外设计4代器件，仿真得到阈值电压随工艺节点的变化情况？

为了设计出一个理想的n沟道多晶硅栅MOSFET，使得在VGS=2.5V，VDS=0.1V时，漏电流ID=50µA，我们需要使用Silvaco TCAD工具进行器件设计和仿真。

首先，根据给定的参数（VT=0.65v，tox=30nm，L=1.25µm，Qss=1.5x1011cm-2）进行仿真，得到对应nMOSFET的输出特性曲线。

然后，利用器件尺寸缩减原则（恒定电场原则），设计4代器件，每一代器件面积缩小一半。最后，使用Silvaco TCAD工具对新设计的4代器件进行仿真，得到阈值电压随工艺节点的变化情况。