moefet切相调光

MoeFET（Monolithic Epitaxial FET, 集成 epitaxial FET）是一种特殊的场效应晶体管（FET），它是在单晶硅片上直接生长的金属氧化物半导体场效应晶体管。这种设计允许高性能电子器件的制造，尤其是在微电子和光电子应用中，如光调制器。

切相调光（Modulation Doped Field-Effect Transistor，MD-FET）是MoeFET的一种变体，它利用了掺杂技术，特别是所谓的“切相”掺杂，即在绝缘体中的高迁移率区域（通常由砷化镓或氮化镓等II-VI族材料）与低掺杂区之间进行调控。这种结构在可见光或近红外光照射下，可以通过改变载流子浓度来控制电导，从而实现光控导通，被用于光电探测器和光通信系统中，如光开关、光传感器和光学数据处理。