双极型晶体管的放大原理

双极型晶体管（BJT）是一种三端器件，由基极（B）、集电极（C）和发射极（E）组成。当在基极-发射极之间施加一个正向偏压时，电流流过晶体管并且晶体管处于饱和状态，即集电极-发射极之间的电压很小，几乎为零。当在基极-发射极之间施加一个反向偏压时，晶体管处于截止状态，即集电极-发射极之间没有电流流过。

在双极型晶体管的放大电路中，将输入信号接到基极，输出信号从集电极取出。当输入信号电压变化时，基极电压也会随之变化。当基极电压变大时，由于发射极和基极之间是正向偏置的，发射极电压也会变大，这将导致集电极电流增加，从而使输出信号电压增加。因此，BJT的放大原理是：输入信号的小变化会引起基极电压的变化，从而控制集电极电流的变化，进而实现输出信号的放大。

相关问题

场效应晶体管放大电路和双极型晶体管放大电路性能有何差别

场效应晶体管和双极型晶体管是两种常见的放大电路元件。它们的差别在于工作原理和性能特点上有所不同。

场效应晶体管（FET）是一种电压控制型的晶体管，其输入阻抗高，噪声低，输出电阻低，具有较好的高频特性。因此，在高频放大电路和低噪声放大电路中广泛应用。同时，FET的线性度较好，可以实现更为精确的信号放大。

双极型晶体管（BJT）是一种电流控制型的晶体管，其电流放大系数大，输入电阻低，输出电阻高，适合用于中、低频放大电路。但是，BJT的噪声比FET要高，因此不适用于低噪声放大电路。

总的来说，FET和BJT的选择取决于具体的应用场景和要求。如果需要在高频范围内进行放大，或者需要低噪声放大，那么FET是更好的选择；如果需要在中、低频范围内进行放大，那么BJT更适合。