STM32中改变数组内的数，并实时刷新到原数组且保存至Flash中

在STM32微控制器上，如果你想要动态修改数组的内容并将其实时更新到Flash存储中，通常需要通过以下几个步骤来实现：

1. **内存区划分**：首先，你需要确保有足够的RAM空间来临时存放修改后的数据，因为直接对Flash进行写入速度慢且操作复杂。

2. **读取数据**：从Flash中读取原始数组内容到RAM中。你可以使用STM32提供的Flash读取函数（如`HAL_FLASH_Read`）来完成这个过程。

3. **修改数组**：在RAM中对数组进行所需的修改。

4. **缓冲区**：为了防止频繁地直接写Flash，可以先将修改后的数据暂存在缓冲区中。

5. **写回Flash**：当所有修改完成后，使用STM32的Flash写入函数（如`HAL_FLASH_Write`）将缓冲区的数据刷回到Flash。记得每次写入前要确保缓冲区的数据已经完全更新完毕，而且写操作可能需要分块进行，以防超过Flash的单次写入容量。

6. **同步操作**：考虑到Flash操作可能会有延迟，可能需要添加适当的同步机制，比如使用中断、延时或者其他同步手段，确保数据一致性。

7. **错误处理**：在写入过程中，要检查写操作是否成功，并处理可能出现的错误。

**示例代码片段**（仅作示意，实际编程可能需要使用具体的STM32 HAL库）：

// 假设我们有一个在Flash中的数组
uint8_t flashArray[ARRAY_SIZE] __attribute__((section(".flash")));

void updateArray() {
    uint8_t ramArray[ARRAY_SIZE];

    // 读取Flash到RAM
    HAL_FLASH_Read(&hfl闪闪盘, (uint8_t*)ramArray, sizeof(ramArray));

    // 修改RAM数组
    for (int i = 0; i < ARRAY_SIZE; i++) {
        ramArray[i]++;
    }

    // 写回Flash
    uint8_t buffer[ARRAY_SIZE];
    memcpy(buffer, ramArray, sizeof(buffer));
    HAL_FLASH_Write(&hfl闪闪盘, (uint8_t*)flashArray, sizeof(buffer));

    // 添加同步处理...
}