这样的话没有保留之前的数据啊

对不起，我忽略了你需要保留之前的数据的要求。为了实现这一点，你可以在写入前先读取当前扇区的数据，然后将新数据与旧数据合并后写入。下面是修改后的代码示例：

#include <stdint.h>
#include <string.h>

#define SECTOR_SIZE 4096
#define EEPROM_SIZE 16384

// 读取数据
void spi_flash_buffer_read(uint8_t* pbuffer, uint32_t read_addr, uint16_t num_byte_to_read) {
    // 实现 flash 读取逻辑
}

// 擦除扇区
uint8_t eraseFlashOneSector(uint32_t sectorNum) {
    // 实现扇区擦除逻辑
}

// 写入数据
void spi_flash_buffer_write(uint8_t* pbuffer, uint32_t write_addr, uint16_t num_byte_to_write) {
    // 实现 flash 写入逻辑
}

// EEPROM 写入 n 个字节
uint8_t EEPROM_Write_NBytes(uint16_t Addr, uint8_t *Write_Buff, uint16_t len) {
    uint8_t sectorNum = Addr / SECTOR_SIZE;  // 计算扇区号
    uint16_t offset = Addr % SECTOR_SIZE;    // 计算偏移量

    uint8_t tempBuffer[SECTOR_SIZE];  // 临时缓冲区，用于存储当前扇区的数据

    // 读取当前扇区的数据
    spi_flash_buffer_read(tempBuffer, sectorNum * SECTOR_SIZE, SECTOR_SIZE);

    // 将新数据与旧数据合并
    memcpy(&tempBuffer[offset], Write_Buff, len);

    // 判断写入数据是否跨越多个扇区
    if (offset + len > SECTOR_SIZE) {
        // 需要跨越多个扇区，进行扇区翻页操作
        uint16_t remainingBytes = len;  // 剩余待写入字节数
        uint8_t* dataPtr = tempBuffer;  // 待写入数据的指针

        while (remainingBytes > 0) {
            // 擦除当前扇区
            if (eraseFlashOneSector(sectorNum) != 0) {
                return 0;  // 擦除失败
            }

            // 计算本次写入的字节数
            uint16_t writeBytes = SECTOR_SIZE - offset;
            if (writeBytes > remainingBytes) {
                writeBytes = remainingBytes;
            }

            // 写入数据
            spi_flash_buffer_write(dataPtr, sectorNum * SECTOR_SIZE + offset, writeBytes);

            dataPtr += writeBytes;        // 更新数据指针
            remainingBytes -= writeBytes; // 更新剩余字节数
            sectorNum++;                  // 更新扇区号
            offset = 0;                   // 设置偏移量为 0，因为已经跳到下一个扇区的起始位置
        }
    }
    else {
        // 数据不跨越扇区，直接写入即可
        spi_flash_buffer_write(tempBuffer, sectorNum * SECTOR_SIZE, SECTOR_SIZE);
    }

    return 1;  // 写入成功
}

int main() {
    // 示例用法
    uint8_t eepromData[EEPROM_SIZE];  // 模拟 EEPROM 数据

    // 读取之前的数据
    spi_flash_buffer_read(eepromData, 0, EEPROM_SIZE);

    // 写入数据到 EEPROM
    uint8_t writeData[] = {0x01, 0x02, 0x03};
    EEPROM_Write_NBytes(0, writeData, sizeof(writeData));

    // 从 EEPROM 读取数据
    uint8_t readData[3];
    spi_flash_buffer_read(readData, 0, sizeof(readData));

    return 0;
}

通过使用临时缓冲区，我们可以在写入之前先读取当前扇区的数据，并将新数据与旧数据合并后写入 Flash。这样就可以保留之前的数据，并在需要时进行更新。请注意，示例代码中的合并方式是简单地使用 `memcpy` 函数，你可以根据实际需求进行修改。