在设计140 GHz毫米波带通滤波器时,如何通过电磁带隙单元和电耦合结构优化插入损耗和带外抑制性能?
时间: 2024-11-24 15:35:09 浏览: 9
设计140 GHz毫米波带通滤波器时,优化插入损耗和带外抑制性能的关键在于电磁带隙(EBG)单元的设计以及电耦合结构的有效应用。在《140 GHz SIW电耦合滤波器:LTCC上的毫米波带通设计与验证》一文中,研究者通过比较开槽式和均匀缝隙式SIW单元,发现开槽式单元在抑制上下阻带性能方面具有显著优势。这种设计可以有效提高滤波器在指定频带内的性能,同时在阻带范围内提供更高的抑制效果。
参考资源链接:[140 GHz SIW电耦合滤波器:LTCC上的毫米波带通设计与验证](https://wenku.csdn.net/doc/6yobnssx4b?spm=1055.2569.3001.10343)
文献中提到,采用非均匀级联的电耦合机制可以进一步优化带通滤波器的插入损耗和带外抑制能力。通过精确控制耦合系数(K)和品质因数(Q),可以调整电路尺寸和耦合强度,从而实现最佳性能。在140 GHz频段,研究者设计的滤波器插入损耗为1.913 dB,这与理论模拟结果高度吻合,验证了设计的正确性。
实际制造过程中,低温共烧陶瓷(LTCC)技术的应用使得滤波器能够在单电路层中实现。LTCC技术具有高集成度、低损耗和良好的机械稳定性的特点,这对于毫米波段的应用尤为重要。
综上所述,在设计140 GHz的毫米波带通滤波器时,应重点考虑EBG单元的选择、电耦合结构的设计以及对耦合系数和品质因数的精确控制,这些措施有助于在保证高性能的同时优化插入损耗和带外抑制性能。对于希望深入了解毫米波滤波器设计的读者,强烈推荐阅读《140 GHz SIW电耦合滤波器:LTCC上的毫米波带通设计与验证》,该文献不仅提供了理论分析,还有实际的仿真和测试结果,是学习和研究毫米波技术不可或缺的参考资料。
参考资源链接:[140 GHz SIW电耦合滤波器:LTCC上的毫米波带通设计与验证](https://wenku.csdn.net/doc/6yobnssx4b?spm=1055.2569.3001.10343)
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