C语音结构体写入flash

由于C语言本身不支持直接操作Flash存储器，因此需要使用特殊的函数来进行Flash写入操作。下面是一个简单的示例，演示如何使用结构体将数据写入Flash存储器。

首先，需要定义一个结构体，包含要写入Flash存储器的数据：

struct my_data {
  int value1;
  char value2[20];
  float value3;
};

接下来，需要定义一个指向Flash存储器的指针：

volatile struct my_data *data_ptr = (volatile struct my_data *) 0x08010000;

在这个示例中，我们假设Flash存储器的起始地址为0x08010000，因此将指针设置为该地址。注意，这里使用了volatile关键字，以确保编译器不会对数据进行优化，从而导致写入Flash存储器的错误。

现在，可以将数据写入Flash存储器了。以下是一个示例函数，将结构体数据写入Flash存储器：

void write_data_to_flash(struct my_data *data) {
  // 擦除Flash存储器中的数据
  FLASH_EraseSector(FLASH_SECTOR_4, FLASH_VOLTAGE_RANGE_3);

  // 将数据写入Flash存储器
  HAL_FLASH_Unlock();
  for (size_t i = 0; i < sizeof(struct my_data); i += 4) {
    HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, (uint32_t) data_ptr + i, *(uint32_t *)((uint8_t *) data + i));
  }
  HAL_FLASH_Lock();
}

首先，使用FLASH_EraseSector函数擦除Flash存储器中的数据。在这个示例中，我们擦除了第4个扇区，使用了3.3V的电压范围。

接下来，使用HAL_FLASH_Unlock函数解锁Flash存储器，并循环将结构体中的数据写入Flash存储器。这里使用了HAL_FLASH_Program函数，将数据写入Flash存储器中。

最后，使用HAL_FLASH_Lock函数重新锁定Flash存储器。

使用这个示例函数，可以将结构体数据写入Flash存储器中。需要注意的是，在实际使用中，可能需要进行更多的错误检查和处理。