动态随机存储器和静态随机存储器的区别是什么，与静态随机存储器相比，动态随机存储器在电路设计需要考虑什么问题？

动态随机存储器（DRAM）和静态随机存储器（SRAM）是两种常见的随机存储器类型，它们有以下区别：

1. 存储数据的方式不同：SRAM使用了更多的硬件来存储数据，每个存储单元使用了6个晶体管，而DRAM只需要1个晶体管和1个电容器来存储数据。

2. 读写速度不同：SRAM的读写速度比DRAM快，因为SRAM不需要刷新电容器，而DRAM需要定期刷新电容器以避免数据丢失。

3. 功耗不同：SRAM的功耗比DRAM高，因为SRAM需要保持电容器的电荷状态而不是周期性地刷新它们。

在电路设计方面，使用DRAM需要考虑以下问题：

1. 刷新电容器：由于DRAM使用电容器来存储数据，因此需要定期刷新电容器以避免数据丢失。这需要特殊的电路来完成，增加了电路的复杂性。

2. 容量限制：DRAM的存储单元比SRAM更小，因此DRAM的存储容量受到物理限制。这意味着在需要大量存储的应用程序中，需要使用更多的DRAM芯片来扩展存储容量，这会增加电路的复杂性和成本。

3. 时序问题：由于DRAM需要刷新电容器，因此读写时需要更复杂的时序控制电路来确保正确的数据读取和存储。这也增加了电路的复杂性。