2SJ182S-VB一种P沟道TO252封装MOS管
2SJ182S-VB是一种P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用TO-252封装。这种MOSFET由VBsemi公司生产,适用于电源管理、负载开关等应用。以下是关于这款器件的一些关键知识点: **特性** 1. **TrenchFET技术**:2SJ182S-VB采用了TrenchFET结构,这是一种先进的MOSFET制造工艺,通过在硅片上刻蚀出深沟槽来减小导通电阻,提高开关性能,同时降低功耗。 2. **UIS测试**:100%的UIS(雪崩耐受能力)测试确保了器件在过电压情况下的稳定性。 3. **封装形式**:TO-252封装(也称为TO-252SGD或DPAK)是一种小型化表面安装封装,适合高功率密度应用。 **规格参数** 1. **额定电压**:2SJ182S-VB的漏源击穿电压V(BR)DSS为60V,这意味着在指定电流下,器件能承受的最大电压为60V。 2. **阈值电压**:门阈值电压VGS(th)范围在-1.0V到-3.0V之间,当VDS等于VGS且ID为-250μA时测量。这个值决定了MOSFET从截止状态转换到导通状态所需的最小栅极电压。 3. **门极-体漏电流**:IGSS在VDS = 0V,VGS = ±20V时小于100nA,表明在正常操作条件下,门极和体之间的漏电流非常低,提高了器件的隔离性能。 4. **零栅压漏电流**:IDSS在VDS = -60V,VGS = 0V时小于1μA,这表示当栅极未加电压时,器件的漏电流很小,保证了良好的截止状态。 5. **导通电阻**:RDS(on)是衡量MOSFET导通状态下电阻的关键参数,其典型值在VGS = -10V时为61mΩ,而在VGS = -4.5V时为72mΩ,低的RDS(on)意味着在导通时的功率损耗较小。 6. **热性能**:包括结壳热阻RthJC(56°C/W)和结-环境热阻RthJA(20至75°C/W),这些参数对于了解器件在不同工作条件下的散热能力至关重要。 **绝对最大额定值** - **栅极-源极电压**:±20V,超过这个范围可能会损坏器件。 - **连续漏极电流**:在TJ = 175°C时,ID的最大值为-30A,而脉冲漏极电流IDM可达-25A。 - **雪崩电流**:IAS为-20A,表明器件可以承受的雪崩电流大小。 - **最大功率损耗**:在TC = 25°C时,PD的最大值为34W,而在TA = 25°C时,最大值为4W。 **操作和储存温度范围**:-55°C至175°C,确保了器件在宽温范围内工作的可靠性。 **注意**: - 绝对最大额定值是应力测试,长时间超过这些值可能导致永久性损坏。 - 功能性操作应遵守规格书中的操作条件,而非绝对最大值。 2SJ182S-VB是一款高性能的P沟道MOSFET,适用于需要高效、低损耗和良好热管理的电路设计。其TrenchFET结构和严格的测试标准确保了其在电源管理和开关应用中的可靠性和效率。