pmos管和nmos管耐压谁高

PMOS（互补金属氧化物半导体场效应晶体管）管和NMOS（NMOS管也是场效应晶体管，但是它的多数载流子是电子）两者作为开关元件，其耐压能力取决于它们各自的结构设计和制造工艺。

通常情况下，在相同的尺寸和技术节点下，PMOS的栅极到源极（GS）的电压限制较低，而NMOS的栅极到漏极（GD）电压较高。这是因为PMOS工作在耗尽模式下，需要正向偏置才能导通，所以它的最大耐压是在开启状态时，栅源间电压加上漏源间的反向偏置电压。

相比之下，NMOS在开启状态下不需要正向偏置，因此GD之间的耐压较高，可以在更大的电压差下工作。不过现代技术通过改进设计，如增强型MOSFET（E-MOSFET），可以提高PMOS的耐压性能。

总体来说，如果只考虑标准结构，NMOS的静态耐压一般会高于PMOS。但具体应用中，耐压还受到封装、散热等因素的影响。