mosfet bsim4模型

BSIM4模型是一种用于描述MOSFET器件行为的数学模型，它包括了多种物理效应，如栅极直接隧穿电流、体电流、速度饱和、载流子速度超调等。BSIM4模型由加州大学伯克利分校(UC Berkeley) BSIM团队的研究开发，并在紧凑型模型委员会(Compact Model Council)的集体努力下进行了改进，现在已经成为了生产交钥匙模型。BSIM4模型的精确建模对于90纳米技术节点和以下的各种CMOS芯片，从逻辑和内存到模拟和射频应用都是必不可少的。BSIM4模型的SPICE实现对数值鲁棒性和计算效率的细节和优化给予了无与伦比的关注，这使得BSIM4 C-code实现比Verilog-A实现的速度快了10倍。