带隙基准源的psrr

带隙基准源的PSRR是指在带隙基准源电路工作时，对其输入电压的变化所产生的影响。带隙基准源是一种常用的电压参考源，它能够在温度和电源变化下提供稳定的输出电压。PSRR即电源抑制比，用来描述电路对电源噪声的抵抗能力。

带隙基准源的PSRR通常会受到电源噪声、温度变化和晶体管参数变化等因素的影响。在设计带隙基准源时，需要考虑这些因素，采取一定的措施来提高PSRR。常见的提高PSRR的方法有使用滤波器滤除电源噪声、采用温度补偿电路来抵消温度变化对电路的影响、优化晶体管的工作点以减小参数变化对PSRR的影响等。

同时，还可以通过差分放大器和反馈电路等方式来提高PSRR。差分放大器能够实现针对输入信号的抵消，有效减小电源噪声对输出信号的影响；反馈电路可以通过负反馈来抑制电路对电源噪声的敏感度。

设计带隙基准源时，需要综合考虑这些因素，并在电路设计中灵活应用各种手段来提高PSRR，从而保证带隙基准源在复杂工作环境下仍能提供稳定可靠的输出电压。

相关问题

带隙基准源电路的主要参数指标

带隙基准源电路的主要参数指标包括：

1. 稳定性：带隙基准源的输出电压应该尽可能稳定，不受外界环境和干扰的影响；

2. 精度：带隙基准源的输出电压应该与其设计值非常接近，通常要求误差小于1%；

3. 温度系数（TC）：带隙基准源的输出电压应该与温度变化的影响尽可能小，通常要求TC小于100ppm/℃；

4. 噪声：带隙基准源的输出电压应该尽可能稳定，不受外界噪声的影响，通常要求噪声小于1mV；

5. 电源抑制比（PSRR）：带隙基准源的输出电压应该不受电源电压变化的影响，通常要求PSRR大于60dB。

这些参数指标是带隙基准源电路性能的关键指标，对于各种应用场景都非常重要。

为什么带隙基准的psr比ldo的psr高

带隙基准的PSR比LDO的PSR高的原因是因为带隙基准采用了基于CMOS工艺的电压参考源，其本身就具有较高的PSRR性能。与之相比，LDO的PSRR性能受到输入电压纹波、电源噪声、LDO本身的噪声等因素的影响，因此其PSRR性能相对较低。

带隙基准采用基于CMOS工艺的电压参考源，可以实现高精度、低噪声的电压输出，并且具有较高的温度稳定性。同时，带隙基准还可以通过电流源、电容等元件构成一个低通滤波器，从而实现较高的PSRR性能。

与之相比，LDO的PSRR性能受到多种因素的影响，而且在实际应用中很难完全消除这些因素的影响。因此，虽然LDO在一些应用场合中表现出色，但在对PSRR性能要求较高的场合中，带隙基准通常更为适合。