stm32h750flash读写

STM32H750的内部FLASH具有128K的大小，由一个扇区组成。此外，还有一个128K的系统存储器，用于存储ST自己的BootLoader程序等。内部的用户扇区（Sector0）大小为128K，但无法访问系统存储器。

在执行FLASH写操作时，读操作会被锁住，只有在写操作完成后才能正确进行读操作。因此，在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。

为了准确读取FLASH数据，需要根据ACLK时钟频率和Vcore电压范围在FLASH存取控制寄存器(FLASH_ACR)中正确设置等待周期数(LATENCY)。

STM32H750本身并不具备EEPROM功能，但它具有IAP（在应用编程）功能，因此可以将其内部FLASH用作EEPROM。可以利用内部的FLASH来存储数据，实现类似EEPROM的效果。

您还可以使用qspi_init函数初始化STM32H750的QSPI接口，通过QSPI接口来读写NOR FLASH的数据。

相关问题

stm32h750 内部flash块读写

STM32H750系列微控制器内部集成了一种称为Flash memory的非易失性存储器，用于长期保存程序代码。该芯片分为几个独立的闪存块，包括Boot Flash、Data Flash等。

1. Boot Flash：通常位于片内的低地址区域，专门用于存放启动加载程序（如STM32CubeMX生成的固件）。它有特定的写入模式，比如通过STM32提供的HAL库函数`HAL_FLASH_Program`来操作，需要设置正确的页和位地址，并遵循一定的写入步骤（例如先擦除再写入）。

2. Data Flash：主要用于存储用户应用程序的数据和配置信息。对Data Flash的读写一般也通过HAL库，如`HAL_FLASH_Read`和`HAL_FLASH_Write`函数。需要注意的是，Data Flash的擦写速度较慢，因此对于频繁访问的数据，可能需要优化存储策略。

操作过程大致如下：
- 初始化Flash控制器：通过配置寄存器设置工作模式、频率等。
- 分配页和地址范围：确定要读写的Flash页面及其偏移量。
- 执行擦除操作：如果目标地址之前的数据要替换，需先擦除相应页。
- 执行写入操作：将数据写入指定的Flash地址。

STM32H750 FSMC应用

STM32H750是一款高性能的STM32微控制器系列，它支持FSMC（Flexible Static Memory Controller）接口，可以用于连接外部存储器，如SRAM、Nor Flash、Nand Flash等。FSMC接口提供了高带宽、低延迟的数据传输，非常适合于需要大容量存储器的应用。

在STM32H750上使用FSMC接口连接外部存储器的步骤如下：

1. 配置FSMC时钟：首先需要使能FSMC时钟，并根据外部存储器的时钟要求进行设置。

2. 配置GPIO引脚：根据外部存储器的接口要求，配置相应的GPIO引脚作为FSMC的数据线和控制线。

3. 配置FSMC控制器：设置FSMC控制寄存器，包括存储器类型、读写时序、总线宽度等参数。

4. 初始化外部存储器：根据外部存储器的规格书，设置其特定的时序和控制参数。

5. 进行数据读写：使用FSMC接口进行数据读写操作，可以通过直接访问存储器地址进行操作。

需要注意的是，使用FSMC接口连接外部存储器需要仔细阅读STM32H750参考手册，并按照手册中提供的时序和配置要求进行设置。同时，还需要根据具体的应用场景和外部存储器的规格书进行参数设置和时序设计。

希望以上信息能对您的STM32H750 FSMC应用有所帮助！如果您有其他问题，请随时提问。