如何在CortexM0微控制器中实现片上Flash和SRAM的存储器映射以及访问？请结合LPC1100系列的特性详细说明。

在CortexM0微控制器中，理解存储器映射是进行有效编程的关键。以LPC1100系列为例，首先需要明白其具备的存储结构包括片上Flash和SRAM。Flash用于长期存储程序和数据，而SRAM则用作执行代码和存储临时数据。

参考资源链接：[CortexM0入门：硬件体系与内存结构详解](https://wenku.csdn.net/doc/yjnngxbudc?spm=1055.2569.3001.10343)

具体到存储器映射，CortexM0拥有一个4GB的地址空间，其中包含不同的存储器区域。在LPC1100系列中，片上Flash和SRAM被映射到特定的地址区域。编程时，你需要参考相应的数据手册和参考手册，了解各个存储区域的地址范围，以确保正确地访问和操作这些存储器。

例如，在片上Flash编程时，你可以使用ISP或IAP技术来更新存储器中的代码。在编写访问Flash或SRAM的代码时，你需要使用指针或数组操作来访问这些区域。使用C语言进行编程时，可以通过声明指向特定存储区域的指针变量来实现，例如：

#define FLASH_START 0x*** // 假设Flash起始地址为0x***
#define SRAM_START 0x***   // 假设SRAM起始地址为0x***

uint32_t *flash_ptr = (uint32_t *) FLASH_START; // 创建指向Flash的指针
uint32_t *sram_ptr = (uint32_t *) SRAM_START;   // 创建指向SRAM的指针

*flash_ptr = 0x***; // 向Flash地址写入数据
*sram_ptr = 0xABCDEF00;  // 向SRAM地址写入数据

请注意，由于Flash具有特殊的编程特性，直接写入Flash可能会破坏其内容。通常需要先将数据复制到SRAM，修改后再通过Flash编程技术将数据写回Flash。

为了更好地理解如何在系统编程(ISP)和在应用编程(IAP)中操作这些存储器，推荐参考《CortexM0入门：硬件体系与内存结构详解》。该书详细介绍了Cortex-M0的硬件体系结构和内存映射，结合LPC1100系列的特点，提供具体的编程实例，帮助读者深入理解并实践如何有效地访问和编程CortexM0的片上存储器。

参考资源链接：[CortexM0入门：硬件体系与内存结构详解](https://wenku.csdn.net/doc/yjnngxbudc?spm=1055.2569.3001.10343)