MOS管作为压控可变线性电阻器和 无触点电子开关分别是在可变电阻区还是饱和区

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种常见的电压控制型半导体器件，有N沟道和P沟道两种类型。在功能上，MOS管通常被用于模拟或数字电路中，它的工作区域主要分为两个基本状态：

1. **可变线性电阻器（Linear region）**：这是在漏极电压VD远小于栅极-源极电压VG（也称阈值电压VT）的情况下，MOS管处于“可变电阻”状态。在这个区域内，漏极电流ID与栅极电压成正比，类似于一个线性电阻，所以MOS管在这种状态下可以用作模拟的电压控制电阻。这种状态也叫欧姆定律区（Ohmic region）。

2. **饱和区（Saturation region）**：当VD接近或大于VG-VT时，MOS管进入了饱和状态，此时ID不再随VG的微小变化而变化，而是达到最大允许值，称为饱和电流Ids。由于漏极电流几乎恒定，所以在这个区域里MOS管并不适合用作可变电阻，但它可以在数字应用中作为一个无触点的开闭状态，因为电流的断续控制可以实现信号的开关作用。

在可变电阻区，MOS管主要用于线性调节电路；而在饱和区，它作为无触点开关，用于开关或逻辑门操作，如逻辑运算、脉宽调制等。