DRAM的DLL是什么

时间: 2023-10-04 15:12:24 浏览: 71
DRAM的DLL是指延迟锁存器(Delay-Locked Loop),它是一种在DRAM控制器中用于时钟同步和数据对齐的技术。 DRAM存储器的操作速度受到内部时钟信号和外部信号的频率差异影响。为了解决这个问题,DLL被引入到DRAM控制器中。DLL通过对内部时钟信号进行延迟调整,使其与外部信号保持同步,从而实现数据的准确读取和写入。 DLL由一个相位锁定环路(Phase-Locked Loop,PLL)和一个延迟线(Delay Line)组成。PLL负责产生内部时钟信号,并根据外部参考时钟信号进行调整,以保持同步。延迟线则根据DLL的配置值,对内部时钟信号进行适当的延迟,以与外部信号对齐。 通过使用DLL技术,DRAM控制器可以在读写操作中正确地对齐数据,从而提高系统性能和可靠性。它在许多现代DRAM系统中被广泛使用。
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dram OTF是什么

DRAM OTF(Out-of-Order Row Access)是一种内存访问优化技术,它可以在DRAM中实现乱序行访问,从而提高内存访问效率。传统的DRAM内存访问方式是按照顺序逐行地读取或写入数据,但是由于行间页命中率较低,当需要访问的行不在当前打开的页中时,需要关闭当前页并打开新页,这会导致较长的延迟和能耗。DRAM OTF技术可以在行之间实现乱序访问,即不按照行的顺序逐个访问,而是根据访问的需求和DRAM内部的状态选择最优的行进行访问,从而减少页关闭和打开的次数,提高内存访问效率。

DRAM位平面是什么

DRAM位平面是指在动态随机存取存储器(DRAM)中,将存储单元按照位的组织方式进行划分的一种方式。每个DRAM芯片通常由多个位平面组成,每个位平面包含了一组存储单元,这些存储单元可以同时进行读取或写入操作。 位平面的划分是为了提高DRAM的访问效率和数据传输速度。通过将存储单元按照位的方式进行组织,可以实现同时读取或写入多个位的数据,从而提高数据的并行性和传输速度。 在DRAM中,每个存储单元通常由一个电容和一个开关组成,用于存储一个位的数据。位平面的划分可以将多个存储单元按照位的方式连接在一起,形成一个位线,从而实现对多个位的同时读取或写入操作。 总结一下,DRAM位平面是将存储单元按照位的组织方式进行划分,以提高DRAM的访问效率和数据传输速度。

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