如何在65纳米CMOS工艺中,通过TCAD仿真和抗辐照设计策略降低单粒子闩锁对器件的影响?
时间: 2024-11-18 08:26:44 浏览: 17
在65纳米CMOS工艺中,单粒子闩锁现象可通过TCAD仿真工具进行模拟分析,并结合抗辐照设计策略如RHBD和RHBP,以及保护环结构等工艺加固措施来降低器件损坏风险。TCAD仿真允许工程师在虚拟环境中模拟重离子对CMOS器件的影响,进而研究不同设计和工艺参数对单粒子闩锁敏感性的影响。例如,可以调整保护环结构的尺寸和布局,观察其对闩锁效应的影响,并优化以减少闩锁概率。
参考资源链接:[65纳米CMOS单粒子闩锁防护设计:TCAD仿真与抗辐照策略](https://wenku.csdn.net/doc/368pn7eukt?spm=1055.2569.3001.10343)
在设计层面,RHBD策略包括避免或减少敏感区域、增加晶体管尺寸、使用适当的晶体管配置以及优化电路设计等。这些方法可以在不改变工艺流程的前提下增强器件对辐射的抵抗力。而在工艺层面,RHBP策略则涉及到改良制造过程,比如采用FD-SOI工艺,通过特定的工艺步骤减少PNPN结构的形成,从而降低闩锁效应。不过需要注意的是,FD-SOI工艺虽然在某些方面提供了优越的抗辐射特性,但其埋氧层可能会引入总剂量效应的问题。
因此,综合应用TCAD仿真工具和多种加固策略,工程师能够对65纳米CMOS器件进行精确的抗辐照设计,以确保在高辐射环境下电路的稳定运行。要深入了解这些技术和策略,建议阅读《65纳米CMOS单粒子闩锁防护设计:TCAD仿真与抗辐照策略》一书,它为你提供了针对当前问题的详细指导和实用的工程案例。
参考资源链接:[65纳米CMOS单粒子闩锁防护设计:TCAD仿真与抗辐照策略](https://wenku.csdn.net/doc/368pn7eukt?spm=1055.2569.3001.10343)
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