pmos防反接电路图

PMOS防反接电路图是一种常用的电路设计，用于防止电源极性接反导致电路损坏。下面是一个常见的PMOS防反接电路图：

       Vcc
        |
        |
        R
        |
        |
        +---- OUT
        |
        |
        |
       GND

在这个电路中，Vcc代表正向电源，GND代表地线。R是一个限流电阻，用于限制电流的大小。OUT是输出端，连接到其他电路。

当Vcc的极性正确时，PMOS的栅极与源极之间的二极管是正向偏置的，PMOS导通，输出端OUT与Vcc相连，电路正常工作。

当Vcc的极性接反时，PMOS的栅极与源极之间的二极管是反向偏置的，PMOS截止，输出端OUT与GND相连，电路断开，起到了防反接的作用。

相关问题

24V输入防反接电路

24V输入防反接电路是用于对输入的24V电源进行防反接及ESD保护的电路。它可以用于EMC测试实验的电源输入保护，额定电流为3A，后级电路最大损坏电压为48V。\[1\]

该电路的原理图如下所示：\[1\]
（这里可以插入原理图图片）

在正常供电情况下，稳压管D2截止，VB = VA = 24V；三极管Q2截止，因为Vb=Ve，所以三极管处于截止区；VC= 24 /（10k+30k）x 30k = 18 V；PMOS管Q1导通，Vgs = VC-VA = 18-24 = -6V<-2V；VCC_24V输出24V。\[2\]

当输入电源正负接反时，二极管和自恢复保险丝会起到防反接保护的作用。二极管导通，使得输入电压被钳位在0.7V，这样后级回路无法实现供电。同时，这个回路会形成很大的电流，使自恢复保险丝动作断开电路。然而，这个电路的缺点是需要一个自恢复保险丝，增加了电路成本。\[3\]
#### 引用[.reference_title]
- *1* [24V输入防反接电路](https://blog.csdn.net/qnmddwc/article/details/129118132)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insert_down1,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item]
- *2* [硬件设计——电源防反接电路](https://blog.csdn.net/m0_38112603/article/details/124234577)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insert_down1,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item]
- *3* [直流电源输入防反接保护电路总结](https://blog.csdn.net/xiahailong90/article/details/94448574)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insert_down1,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item]
[ .reference_list ]

pmos浪涌电流抑制电路图

PMOS浪涌电流抑制电路图通常用于在电源供应电压突然改变时，抑制因电容器充电而产生的浪涌电流。它由一个PMOS管和一系列电阻、电容组成。

这个电路图中，PMOS管的源极连接到电源正极，漏极连接到负载电阻上。负载电阻的另一端连接到电源的负极。

在PMOS管的栅极和源极之间，连接了一个电阻，用来限制电流的流过。同时，源极和栅极之间还连接了一个电容，用来延迟PMOS管的开启时间。

当电源供应电压突然改变时，电容会开始从0V充电。在充电过程中，电压差会逐渐增大，当达到PMOS管的门槛电压时，PMOS管开始导通。

导通后，PMOS管的内部电阻会变得很小，从而提供一个低阻抗路径，使得电容能够充电得更快。这样，浪涌电流就会被抑制，使得电源供应电压的突变对电路的影响降低。

值得注意的是，电阻和电容的取值应根据具体的应用情况进行选择，以满足对浪涌电流抑制的要求。

总之，PMOS浪涌电流抑制电路图是一种通过PMOS管、电阻和电容组成的电路，通过在电容充电过程中PMOS管的导通抑制浪涌电流，保护电路免受电源供应电压突变的影响。