IR drop 漏电

IR Drop是指在芯片设计实现中，由于电源电压降低而导致的电路性能问题。它可以分为静态IR Drop和动态IR Drop两种。静态IR Drop主要是由于电源网络的金属连线的电阻造成的电压分压现象，而动态IR Drop则是由于电路中的大电流切换引起的电压压降现象。针对IR Drop的分析对于芯片设计至关重要，因为IR Drop过大会导致芯片无法正常工作或者频率无法达到要求。为了降低IR Drop，有一些方法可以采取。例如，增加power stripe可以提供更多的电源路径，降低电阻，从而减少IR Drop。增加decap cell也是一种有效的方法，它可以提供额外的电荷储存，平滑电源电压，减少电源波动，从而降低IR Drop。而增加cell density可能会导致更多的电流流动在相同的空间内，增加电阻和电压降，因此不能降低IR Drop。降低cell density可以减少导线中的电流，从而减少电阻和电压降。综上所述，选择B增加cell density是不能降低IR Drop的选项。<em>1</em><em>2</em><em>3</em>
#### 引用[.reference_title]
- *1* *2* *3* [【数字IC基础】IR DROP学习总结（含笔试真题实战）](https://blog.csdn.net/claylovetoo/article/details/130598422)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v92^chatsearchT0_1"}} ] [.reference_item]
[ .reference_list ]