低位交叉和高位交叉编址

低位交叉和高位交叉是一种常用的哈希技术，用于将一个大的地址空间映射到一个较小的地址空间中。在哈希表中使用低位交叉或高位交叉时，会将一个键值转换为一个哈希码，然后使用该哈希码将键值存储到哈希表中。

低位交叉指的是将一个键值按位拆分成多个部分，然后将这些部分依次交错插入到哈希码中。例如，对于一个32位的键值，可以将它拆分为4个8位的部分，然后将这些部分依次插入到哈希码中的偶数位和奇数位。这样可以有效地降低哈希冲突的概率，但是在处理哈希冲突时可能需要更多的时间。

高位交叉与低位交叉相反，它是将一个键值从高位开始按位拆分成多个部分，然后将这些部分依次插入到哈希码中的偶数位和奇数位。这种方法可以更快地处理哈希冲突，但是可能会增加哈希冲突的概率。

相关问题

交叉编址的多体存储器必须逐行读取吗

交叉编址的多体存储器不一定必须逐行读取。交叉编址的多体存储器是一种将多个存储体连接在一起，通过交叉编址的方式访问数据的存储器结构。在这种结构中，数据被分散存储在不同的存储体中，而访问时需要通过交叉编址算法计算出实际的存储地址。

对于读取操作，可以根据具体的需求来确定读取的方式。如果只需要读取特定行的数据，可以通过计算交叉编址算法得到实际的存储地址，然后只读取该行的数据即可。这样可以减少读取的数据量和读取时间。

然而，有些情况下可能需要读取多行数据，比如需要连续读取一段数据区域或进行某种计算。在这种情况下，可能需要逐行读取数据，并将它们组合成完整的数据块进行处理。

总之，交叉编址的多体存储器可以根据具体需求选择逐行读取或其他读取方式。这取决于应用程序的数据访问模式和性能要求。

设计一个容量 为64KB的采用低位交叉编址的8体并行结构存储器。给出每个存储芯片的地址范围（用 十六进制数表示）

根据题意，我们需要设计一个容量为64KB的存储器，采用低位交叉编址的8体并行结构。假设每个存储芯片的容量为8KB，则需要8个存储芯片才能满足要求。

低位交叉编址的意思是将地址按照二进制位分解成多个组，每个组对应一个存储芯片。具体实现时，我们可以将地址分为三组，每组对应一个存储芯片。具体如下：

- 第一组：地址的最低两位。对应存储芯片的地址范围为 0000~1FFF。
- 第二组：地址的第三位和第四位。对应存储芯片的地址范围为 2000~3FFF。
- 第三组：地址的第五位到第十五位。对应存储芯片的地址范围为 4000~FFFF。

因此，每个存储芯片的地址范围如下：

- 存储芯片1：0000~1FFF
- 存储芯片2：2000~3FFF
- 存储芯片3：4000~5FFF
- 存储芯片4：6000~7FFF
- 存储芯片5：8000~9FFF
- 存储芯片6：A000~BFFF
- 存储芯片7：C000~DFFF
- 存储芯片8：E000~FFFF

需要注意的是，由于每个存储芯片的地址范围都是从0开始的，因此在实际使用时需要将每个存储芯片的地址加上对应的基地址才能正确访问。