void DS18B20_Write_Byte(unsigned char dat) { unsigned char j; unsigned char testb; DQ_out; //SET PA0 OUTPUT; for (j = 1; j <= 8; j++) { testb = dat & 0x01; dat = dat >> 1; if (testb) { DQ_0; // Write 1 delay_us(1); DQ_1; delay_us(30); } else { DQ_0; // Write 0 delay_us(30); DQ_1; delay_us(1); } } }解释这段代码
时间: 2024-02-14 08:30:27 浏览: 84
DS18B20的代码
这段代码是用于向 DS18B20 温度传感器写入一个字节的数据。下面是代码的解释:
1. `DQ_out;` 设置 DQ(数据线)为输出模式,这里假设使用的是单总线总线来与 DS18B20 进行通信。
2. 使用循环将字节数据的各个位逐一写入。
3. `testb = dat & 0x01;` 通过与操作获取字节数据的最低位(bit)的值。
4. `dat = dat >> 1;` 将字节数据右移一位,以便处理下一个位。
5. 根据最低位的值进行判断:
- 如果最低位为 1,则执行以下步骤:
- `DQ_0;` 将 DQ 置为低电平,表示写入 1。
- `delay_us(1);` 延时 1 微秒。
- `DQ_1;` 将 DQ 置为高电平。
- `delay_us(30);` 延时 30 微秒,完成一个写入周期。
- 如果最低位为 0,则执行以下步骤:
- `DQ_0;` 将 DQ 置为低电平,表示写入 0。
- `delay_us(30);` 延时 30 微秒。
- `DQ_1;` 将 DQ 置为高电平。
- `delay_us(1);` 延时 1 微秒,完成一个写入周期。
通过以上步骤,循环执行 8 次,将一个字节的数据写入到 DS18B20 温度传感器中。请注意,代码中的 `delay_us()` 函数用于延时,具体的延时时间可能需要根据实际情况进行调整。另外,代码中使用的 `DQ_out`、`DQ_0` 和 `DQ_1` 是假设的函数或宏定义,用于控制 DQ 的状态。在实际使用中,你需要根据自己的硬件和单片机的配置来实现这些函数或宏定义。
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