扩散工艺仿真 尺寸：X:0~2μm，网格间距0.02 Y:0~2μm，网格间距0.02 衬底：磷：1e13 氧化层厚度：0.2 μm，div=4 etch oxide left p1.x=0.4 扩散温度：1050℃扩散时间：1.5h 写一下代码

在做扩散工艺仿真的时候，特别是在Silvaco或类似TCAD工具中，你需要编写脚本来描述这个过程。以下是一个简化版的Python示例，使用的是Silvaco的Sentaurus PDK (Process Development Kit)的Python API，假设你已经在环境中设置了库：

import silvaco

# 定义区域和网格
x_domain = silvaco.linspace(0, 2, num=1000, div=1) * micrometer
y_domain = x_domain
mesh_size = 0.02 * micrometer

# 创建衬底和掺杂层
substrate = silvaco.Layer(name="Substrate", material="Si")
phosphorus_doping = silvaco.ImpurityProfile(
    name="P Implantation",
    type="IonImplant",
    concentration=1e13 / cubic_cm,
    energy=keV_to_ev(10),  # 磁控溅射能量假设为10 keV
)

# 创建氧化层
oxide_layer = silvaco.Layer(name="Oxide", thickness=0.2 * micrometer)
etch_left_p1_x = 0.4 * micrometer

# 设置扩散条件
diffusion_process = silvaco.ProcessStep(
    name="Diffusion",
    type="Diffusion",
    temperature=kelvin_to_deg_C(1050),
    duration=hours_to_seconds(1.5),
    impurities=[phosphorus_doping],
)

# 在指定位置进行扩散
diffusion_process.set_position(start=(0, etch_left_p1_x))

# 创建衬底和氧化层的复合结构
device_structure = silvaco.Stack([substrate, oxide_layer])
device_structure.add_diffusion_step(diffusion_process)

# 运行仿真
device_model = device_structure.run_simulation()

# 输出结果
device_model.plot_contour("doping_profile", "Concentration [cm^-3]", x_domain, y_domain)

注意，这只是一个基本的例子，实际操作需要更详细的库导入，设置边界条件和其他参数。同时，具体的API细节可能会因版本变化而有所差异。