MT29F4G08ABADAWP:D 时序

关于MT29F4G08ABADAWP:D的AC Timing Characteristics[^1]，这是芯片性能的关键部分，它定义了设备与控制器之间的通信速度限制以及完成特定操作所需的时间。表28展示了这些重要参数，如信号上升时间、下降时间和总传输时间等，这对于设计嵌入式系统以优化与该Flash的交互至关重要。

要详细了解MT29F4G08的时序特性并应用于STM32H750[^2]的驱动中，你需要遵循以下步骤：

1. **查阅文档**：首先，查阅芯片的数据手册（Table 28）来获取具体的时序参数，如时钟频率范围、命令响应时间、数据传输速率等。

- 根据具体需求选择合适的时钟频率（fCLK）和接口模式（如SPI、AHB等）。

2. **设置寄存器**：使用STM32H750的寄存器配置功能来调整相关的控制寄存器，比如设置适当的地址线数量和数据线宽度，以及预设等待周期（如TAAW）。

// 示例代码未提供，但可能涉及以下寄存器：
// * GPIOA CR1 (用于选择GPIO模式)
// * RCC APBxR (APB总线时钟配置)
// * FMC_NORSRAM Control Register (NAND Flash接口配置)

3. **执行操作**：在执行读写操作之前，确保遵守MT29F4G08的起始/结束信号时序，包括休眠时间和数据传输时长。

4. **错误检测**：配置中断或定期检查返回状态位，确认操作是否成功并适应可能的延迟。

// 比如检查CMD完成标志位：
if (FMC_ReadStatusReg() & CMD_COMPLETE_FLAG) {
    // 操作已完成
} else {
    // 处理错误或超时
}

5. **循环操作**：如果需要连续访问，重复上述过程，确保每次操作之间留出足够的间隔以满足时序要求。