作业:使用参数化模块库LPM的双端口RAM宏单元lpm_ram_dp，设计一个4位地址、8位数据的双口RAM。

在使用参数化模块库LPM（Low Power Modules）中的双端口RAM宏单元`lpm_ram_dp`设计一个4位地址、8位数据的双口RAM时，你需要按照以下步骤操作：

1. **包含头文件**:
首先，在Verilog HDL或VHDL的设计文件中，引入LPM RAM库：

   `include "lpm_lpmRam_vhvl.v"

2. **声明并实例化RAM模块**:
定义一个名为`ram_4x8_dp`的实例，其中参数`ADDR_WIDTH`为4位地址宽度，`DATA_WIDTH`为8位数据宽度：

   lpm_ram_dp ram_4x8_dp (
     .a_clk(clk),          // 主时钟信号
     .a_wr(a_write_en),    // 写使能信号
     .a_rd(a_read_en),     // 读使能信号
     .a_address(ram_addr), // 地址信号
     .w_data(w_data_in),   // 写入数据
     .r_data(r_data_out)   // 读出数据
   , addr_width=4, data_width=8);

这里假设`clk`是主时钟，`a_write_en`, `a_read_en`是控制写入和读取的信号，`ram_addr`是地址输入，`w_data_in`是写入的数据，`r_data_out`是读出的数据。

3. **添加模块约束**:
如果需要，可以为RAM提供特定的配置约束，比如初始化数据等：

   initial begin
     ram_4x8_dp.init = 0; // 初始化所有存储单元为0
   end

4. **连接IO接口**:
确保外部电路正确连接到RAM的输入输出信号，如地址线、数据线、片选信号等。

5.