STM32中 SET_BIT(FLASH->CR,FLASH_CR_ERASE); WRITE_REG(FLASH->AR,PageAddress); SET_BIT(FLASH->CR,FLASH_CR_STRT);在STM8S中这些寄存器要怎么用，换成什么样的函数形式

在STM8S单片机系列中，虽然没有像STM32那样直接的`SET_BIT`和`WRITE_REG`这样的宏，但你可以通过位操作和内存地址访问来实现类似的功能。这里是一个简单的例子，假设你想擦除闪存页并开始写入过程：

首先，擦除闪存块的操作可能会涉及到`FLASH_ACR`（在STM8S中对应于`FLASH->CR`在STM32中），它包含了控制寄存器。你需要设置`BKE`（Block Erase Key）标志来触发块擦除。在STM8S中，这通常会这样写：

// 确定需要擦除的页地址
uint16_t PageAddress = ...;

// 将BKE位置1表示要擦除
uint8_t flash_cr = READREG(FLASH_BASE + FLASH_CR);
flash_cr |= (1 << FLASH_CR_BKE); // 如果BKE不在最低位，可能需要调整位移量
WRREG(FLASH_BASE + FLASH_CR, flash_cr);

// 擦除操作（无返回值，如果成功则不需要检查）
ERASE_FLASH(PageAddress);

然后，对于开始写入操作（`START`或`STRT`在STM32中的`FLASH_CR`），通常会涉及`FLASH_KEYR`寄存器的访问（如果使用了密钥保护）。在STM8S中，可能需要类似以下的形式：

// 设置开始写入标志
uint8_t flash_cr2 = READREG(FLASH_BASE + FLASH_KEYR); // 或其他相应位置
flash_cr2 |= (1 << FLASH_KEYR_START); // 可能需要调整位移量
WRREG(FLASH_BASE + FLASH_KEYR, flash_cr2);

// 开始写入（同样无返回值）
START_WRITE(PageAddress);

请注意，实际的`ERASE_FLASH`和`START_WRITE`这两个函数在STM8S库中可能并不直接存在，你需要根据你的硬件平台和库函数来编写或找到相应的功能实现。