什么是SRAM和DRAM，它们在寻址原理和性能上有哪些区别？

SRAM（Static Random Access Memory）和DRAM（Dynamic Random Access Memory）是计算机内存中常见的两种类型，各自具有独特的结构和性能特点。SRAM是静态随机存取存储器，它的存储单元通常由六个晶体管构成，因此不需要刷新操作就可以保持数据。由于其较小的存储单元，SRAM比DRAM具有更快的读写速度，但成本更高，密度较低，一般用作CPU内部的高速缓存。

参考资源链接：[深入了解RAM：SRAM、DRAM和SDRAM的基本原理](https://wenku.csdn.net/doc/22s6nsofa4?spm=1055.2569.3001.10343)

DRAM则是一种动态随机存取存储器，其存储单元由一个电容和一个晶体管组成，电容存储数据以电子的形式。DRAM需要周期性的刷新操作来维持数据，因为它依靠电容来存储信息，而电容会随着时间逐渐放电。由于其结构简单，DRAM可以实现更高的存储密度，成本更低，是计算机系统中用于主存储器的首选类型。

在寻址原理方面，SRAM和DRAM都需要通过地址总线来选择特定的存储单元，并通过数据总线进行数据的读写操作。SRAM由于其简单快速的访问机制，常用于高速缓存，而DRAM则因为成本和密度的优势，被广泛应用于计算机的主内存。在设计存储系统时，通常会根据速度、成本和容量需求来决定使用SRAM还是DRAM。

为了深入理解这些概念，可以阅读《深入了解RAM：SRAM、DRAM和SDRAM的基本原理》，该资料详细介绍了内存的工作原理、寻址机制、存储单元结构等关键知识点，有助于全面掌握SRAM和DRAM的特性和应用。

参考资源链接：[深入了解RAM：SRAM、DRAM和SDRAM的基本原理](https://wenku.csdn.net/doc/22s6nsofa4?spm=1055.2569.3001.10343)