STM32G0系列单片机变量写入Flash的代码怎么写
时间: 2023-07-16 22:17:16 浏览: 173
STM32通过PVD掉电检测实现,然后读写内部flash实现掉电数据存储的代码
STM32G0系列单片机可以使用HAL库提供的函数来将变量写入Flash中。
以下是一个示例代码,将一个16位的整数写入Flash中:
```c
#include "stm32g0xx_hal.h"
#define FLASH_USER_START_ADDR ADDR_FLASH_PAGE_31 // 定义 Flash 起始地址,这里选择了倒数第二个扇区
#define FLASH_USER_END_ADDR ADDR_FLASH_PAGE_31 + FLASH_PAGE_SIZE - 1 // 定义 Flash 结束地址
uint16_t data = 1234; // 要写入 Flash 的数据
// 函数声明
void WriteToFlash(uint32_t address, uint16_t data);
int main(void)
{
HAL_Init();
// 写入数据到 Flash
WriteToFlash(FLASH_USER_START_ADDR, data);
while (1)
{
// 程序执行其他任务
}
}
// 将数据写入 Flash
void WriteToFlash(uint32_t address, uint16_t data)
{
HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
uint32_t pageError = 0;
// 擦除 Flash 扇区
FLASH_EraseInitTypeDef eraseInitStruct;
eraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
eraseInitStruct.PageAddress = FLASH_USER_START_ADDR;
eraseInitStruct.NbPages = 1;
status = HAL_FLASHEx_Erase(&eraseInitStruct, &pageError);
if (status != HAL_OK) {
// 发生错误,处理错误
return;
}
// 写入数据到 Flash
status = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, address, data);
if (status != HAL_OK) {
// 发生错误,处理错误
return;
}
}
```
在这个示例代码中,我们首先定义了要写入 Flash 的数据 `data`,然后调用 `WriteToFlash()` 函数将数据写入 Flash。该函数首先使用HAL库提供的 `HAL_FLASHEx_Erase()` 函数擦除 Flash 扇区,然后使用 `HAL_FLASH_Program()` 函数将数据写入 Flash。在写入数据之前,我们需要定义要写入的 Flash 起始地址,并且要确保不会写入到 Bootloader 或其他重要数据的位置。此外,还需要注意的是,STM32G0系列单片机的Flash只能写入半字(16位),因此在这个示例中,我们使用 `FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD` 来指定写入半字。
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