stm32读写flash

STM32可以通过软件编程的方式读写Flash存储器中的数据。STM32的Flash存储器一般分为两个区域：系统区域和用户区域。系统区域存储着固件和启动代码，用户区域用于存储用户数据。

读写Flash存储器需要先对其进行初始化，并在软件中实现读写操作。STM32提供了丰富的库函数和HAL（硬件层）驱动程序来帮助开发者实现读写操作。通过使用这些函数，开发者可以方便地实现对Flash存储器的读写操作。

举个例子，开发者可以使用STM32的HAL库函数HAL_FLASH_Program来实现向Flash存储器中写入数据，使用HAL_FLASH_ReadProtec来实现从Flash存储器中读取数据。

总的来说，STM32读写Flash存储器是一件很简单的事情，只需要熟悉相关的API函数即可。

相关问题

stm32 读写flash

STM32可以通过内部FLASH存储器进行数据的读写。下面是一个简单的代码示例，展示了如何使用HAL库读写FLASH：

#include "stm32f1xx_hal.h"
#include "stm32f1xx_hal_flash.h"

#define FLASH_USER_START_ADDR   ADDR_FLASH_PAGE_62   /* Start @ of user Flash area */
#define FLASH_USER_END_ADDR     ADDR_FLASH_PAGE_63 + FLASH_PAGE_SIZE - 1 /* End @ of user Flash area */

uint32_t GetPage(uint32_t Addr);

int main(void)
{
  HAL_Init();

  /* Unlock the Flash to enable the flash control register access *************/
  HAL_FLASH_Unlock();

  /* Erase the user Flash area
    (area defined by FLASH_USER_START_ADDR and FLASH_USER_END_ADDR) ***********/
  /* Get the 1st page to erase */
  uint32_t FirstPage = GetPage(FLASH_USER_START_ADDR);
  /* Get the number of pages to erase from 1st page */
  uint32_t NbOfPages = GetPage(FLASH_USER_END_ADDR) - FirstPage + 1;
  /* Fill EraseInit structure*/
  FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
  EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
  EraseInitStruct.PageAddress = FirstPage;
  EraseInitStruct.NbPages = NbOfPages;
  uint32_t PageError = 0;
  HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError);

  /* Program the user Flash area word by word
    (area defined by FLASH_USER_START_ADDR and FLASH_USER_END_ADDR) ***********/

  uint32_t Address = FLASH_USER_START_ADDR;
  uint32_t Data = 0x12345678;
  while (Address < FLASH_USER_END_ADDR)
  {
    if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK)
    {
      Address = Address + 4;
    }
    else
    {
      /* Error occurred while writing data in Flash memory */
      break;
    }
  }

  /* Lock the Flash to disable the flash control register access (recommended
     to protect the FLASH memory against possible unwanted operation) *********/
  HAL_FLASH_Lock();

  while (1)
  {
  }
}

uint32_t GetPage(uint32_t Addr)
{
  uint32_t page = 0;
  if (Addr < (FLASH_BASE + FLASH_BANK_SIZE))
  {
    /* Bank 1 */
    page = (Addr - FLASH_BASE) / FLASH_PAGE_SIZE;
  }
  else
  {
    /* Bank 2 */
    page = (Addr - (FLASH_BASE + FLASH_BANK_SIZE)) / FLASH_PAGE_SIZE;
  }
  return page;
}

在上面的代码示例中，我们首先解锁Flash并擦除要写入的Flash页面。然后，我们使用HAL库的`HAL_FLASH_Program()`函数逐个字编程Flash。最后，我们锁定Flash以保护它免受未经授权的操作。

STM32读写flash

STM32微控制器通常通过其嵌入的Flash存储器来存储程序代码和数据。读取和写入Flash的过程涉及以下几个步骤：

1. **准备操作**：
- 初始化Flash控制器：首先需要配置 Flash 控制器，比如设置工作模式、时钟源等。
- 设置访问权限：如设置编程禁止位（Protect bits），防止意外修改。

2. **编程前的操作**：
- 检查待操作区域的擦除状态：如果某个地址块已被写入，需先擦除再写入新内容。

3. **擦除操作**（Erasing）：
- 对于STM32的Flash，常用的是块擦除（Block Erase），选择一块连续的字节数进行擦除。可以使用`HAL_FLASHEx_Erase`函数来执行此操作。

4. **编程操作**（Programming）：
- 将数据分割成小块，每次写入一小部分，使用`HAL_FLASH_Program`函数，该函数支持字节（Byte）、半字（Halfword）、字（Word）或双字（Double Word）级别的编程。

5. **验证操作**（Verification）：
写入后，可以读回刚刚写入的数据，进行比较，确认是否成功。同样使用`HAL_FLASH_Read`函数。

6. **等待状态**：
有些操作可能会有固定的等待时间，例如某些闪存技术可能需要一些延迟才能完成写入并变为可读。

7. **关闭操作**：
最后记得释放资源，关闭Flash控制相关的硬件中断和DMA通道。