PMOS线性区工作原理

根据引用中的描述，当Vin逐渐增加并大于NMOS的阈值电压Vth后，NMOS进入饱和区，此时对于PMOS来说，由于其栅端电压小的时候可以导通，大于某一个值不可以导通，所以PMOS处于导通状态。在饱和区时，由于NMOS的Vds较大，PMOS处于导通状态，因此可以认为NMOS和PMOS同时处于饱和区，也就是说，NMOS和PMOS都是工作在饱和区。<em>1</em><em>2</em><em>3</em>
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- *1* *2* *3* [【数字集成电路原理】【反相器】反相器当输入为0.5（中点）时PMOS和NMOS分别位于饱和区](https://blog.csdn.net/u010106593/article/details/126861523)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v92^chatsearchT0_1"}} ] [.reference_item]
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相关问题

电子器件pMOS管的工作原理

pMOS管是一种类型的MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)场效应管。它由一个p型衬底、一个n型源、一个n型漏极和一个p型门极组成。

当pMOS管的门极电压低于衬底电压时，正电荷会吸引大量的电子进入p型衬底，形成一个n型沟道，连接源漏极，从而形成导通。在这种情况下，pMOS管的阻抗很低，电流可以流经通道并输出到负载上。

当pMOS管的门极电压高于衬底电压时，吸引电子的正电荷会被门极的负电荷中和，沟道中的电子会被排斥，从而截止导通。此时，pMOS管的阻抗很大，电流无法流经通道。

因此，pMOS管的工作原理是基于门极电压对沟道导通的控制。当门极电压低于衬底电压时，pMOS管导通；当门极电压高于衬底电压时，pMOS管截止。

pmos管工作原理及详解

PMOS管是一种金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），它是一种基于PN结的器件。下面是关于PMOS管工作原理的详解：

1. 构造：PMOS管由两个不同掺杂类型的半导体区域（P型和N型）组成。在P型区域中，有一个N型掺杂的区域形成了源极和漏极之间的导电通道。

2. 接通状态：当漏极电压为低电平（一般为负电压），源极电压为高电平（一般为正电压）时，PMOS管处于接通状态。此时，由于P型区域的正电荷，导致P型区域中存在一个由漏极到源极的电流通道。

3. 关断状态：当漏极电压为高电平，源极电压为低电平时，PMOS管处于关断状态。此时，由于P型区域中的正电荷被漏极吸引，导致漏极和源极之间的电流通道被截断，不再导通。

4. 控制信号：PMOS管的工作状态由栅极上的控制信号决定。当栅极电压为低电平时，PMOS管接通；当栅极电压为高电平时，PMOS管关断。

总结起来，PMOS管的工作原理是通过控制栅极电压来改变源极和漏极之间的电流通道，从而实现接通和关断的功能。当栅极电压高时，PMOS管关断；当栅极电压低时，PMOS管接通。