PMOS场效应晶体管工作原理

PMOS场效应晶体管（PMOSFET）是一种三端器件，由源极、漏极和栅极组成。它的工作原理基于栅极电压对沟道电阻的控制。

当栅极与源极之间的电压为负值时，它将吸引正离子（空穴）进入沟道，从而形成一个导电通道，电流可以通过沟道流过晶体管。这种情况下，晶体管处于导通状态。

当栅极电压为正值时，它会排斥正离子并且减小沟道的导电能力。这样一来，电流将无法流过晶体管，晶体管处于截止状态。

因此，PMOSFET的工作原理是通过栅极电压来控制沟道的电阻，从而控制漏极和源极之间的电流。