GaN的光电探测器国内外研究现状

GaN材料具有较高的电学和光学性能，因此被广泛应用于光电探测器的制备中。国内外在GaN光电探测器方面的研究主要集中在以下几个方面：

1. 器件结构设计：GaN光电探测器的结构设计包括探测器的结构形式、探测层的厚度、掺杂浓度等方面。目前常用的结构包括金属-半导体金属（MSM）结构、金属-半导体-金属（MSM）结构和p-i-n结构等。

2. 光电探测器性能优化：为了提高GaN光电探测器的性能，研究人员对其进行了多种优化措施，如选择合适的探测层材料、优化探测器结构等。

3. 应用领域：GaN光电探测器的应用领域主要包括太赫兹波探测、光通信、光电子设备等方面。

总的来说，国内外在GaN光电探测器方面的研究还在不断深入。未来，随着技术的不断发展，GaN光电探测器有望在更多的应用领域得到广泛应用。