利用多片256Kx8位的 SRAM 芯片设计存储容量为1Mx8位的 SRAM 存储器。要求：画出电路原理图，并从控制线、地址线、数据线三个方面描述其工作原理。

这是一个比较复杂的问题，需要涉及到一些电路原理和数字电路知识。尽管如此，我会尽力回答你的问题。

首先，我们需要了解一下 SRAM 的原理。SRAM（Static Random Access Memory）是一种静态随机存取存储器，其特点是存取速度快，但是容量相对较小。SRAM 由许多存储单元组成，每个存储单元由一个触发器和一个传输门组成，可以存储一个位的数据。SRAM 的读写操作是通过控制线、地址线和数据线来实现的。

对于这个问题，我们需要使用多个 256Kx8 位的 SRAM 芯片来构建一个 1Mx8 位的 SRAM 存储器。具体的电路原理图如下图所示：


如图所示，这个 SRAM 存储器由四个 256Kx8 位的 SRAM 芯片组成。其中，地址线 A0-A17 用于选择存储单元，数据线 D0-D7 用于传输数据，WE 是写使能信号，OE 是读使能信号，CE 是芯片使能信号。

当进行写操作时，控制器将数据写入数据线 D0-D7，并将地址线 A0-A17 设置为要写入的存储单元的地址，然后使能 WE 信号，此时触发器将数据写入存储单元。当进行读操作时，控制器将地址线 A0-A17 设置为要读取的存储单元的地址，并使能 OE 信号，此时触发器将存储单元中的数据输出到数据线 D0-D7。

需要注意的是，每个 SRAM 芯片都有自己的 CE 信号，当 CE 信号为高电平时，该芯片将处于禁用状态，此时无法进行读写操作。因此，在进行读写操作时，需要将要访问的 SRAM 芯片的 CE 信号设置为低电平，其他芯片的 CE 信号设置为高电平。

总的来说，这个 SRAM 存储器的工作原理是通过控制线、地址线和数据线来实现读写操作，同时需要注意每个 SRAM 芯片的 CE 信号和整个存储器的 WE 和 OE 信号的控制。