太赫兹可以穿透硅片，选择什么样的硅片可以使得532nm激光照射在硅片上时，太赫兹穿不过去

太赫兹辐射的穿透深度与材料的电导率和介电常数有关。对于硅片，其电导率相对较高，而介电常数相对较低，因此太赫兹辐射在硅片中的传播速度较快，穿透深度较大。如果要让532nm激光照射在硅片上时，太赫兹辐射不能穿透，可以选择具有高电导率和高介电常数的硅材料，如掺杂有金属元素的硅材料或氧化硅等。这些材料会对太赫兹辐射产生较强的衰减作用，使其无法穿透到硅片的另一侧。