结型场效应管和mos型场效应管原理

JFET (结型场效应晶体管) 和 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管) 是两种不同类型的场效应晶体管(FET)，它们都用于放大信号或者作为电子开关。以下是这两种器件工作原理的主要区别。

对于 JFET:

- 这种晶体管由一个n沟道或p沟道组成，其中源极(S)和漏极(D)之间形成电流路径。
- 控制这个通道导电性的栅极(G)与源极或漏极之间的PN结相邻。
- 当没有施加电压到栅极时，载流子可以自由地从源流向漏极。
- 如果在栅极上施加负偏压（针对N沟道），则会减少靠近栅极区域的载流子数量，从而减小了能流动的电流；正向偏置会使JFET进入饱和区甚至可能损坏设备。
- 因此，改变栅极上的电压可以直接影响通过器件的电流大小。

对于 MOSFET:

- 同样存在增强型(Enhancement-mode, E-MOSFETs)和耗尽型(Depletion-mode, D-MOSFETs)两种基本结构。
- 对于E-MOSFET，在零栅极至源极电压条件下几乎没有电流流通；当增加足够的正向栅极电压时，会在绝缘层下方创建一个导电沟道连接源极和漏极。
- 在D-MOSFET的情况下，默认情况下有一个预先存在的沟道允许一些电流流动，而适当的栅极电压能够进一步调节该沟道宽度以控制电流水平。
- MOSFET的关键特性在于其高输入阻抗以及利用非常薄的二氧化硅层来隔离栅极接触点，这使得几乎不需要任何栅极电流就能有效操控主电路状态。

综上所述，虽然两者都是用来调整输出电流大小的三端元件，但是由于内部构造差异导致了不同的操作机制：JFET依靠直接修改掺杂浓度实现对传导特性的调控；MOSFET则是借助静电感应作用间接引起变化。